[發(fā)明專利]肖特基二極管及其制備方法

有效

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• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN111863973B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 趙自然;胡海帆;馬旭明;肖雄
• 申請（專利權）人: 同方威視技術股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 桑敏

1.一種肖特基二極管，包括：

襯底層；

位于所述襯底層上的第一結(jié)構和第二結(jié)構，其中所述第一結(jié)構與所述第二結(jié)構之間為隔離槽結(jié)構，所述第一結(jié)構包括第一主體區(qū)和從所述第一主體區(qū)延伸的懸臂梁，所述第二結(jié)構包括第二主體區(qū)，并且所述第二主體區(qū)包括位于所述襯底層上的重摻雜層以及位于所述重摻雜層上的輕摻雜層；以及

肖特基接觸結(jié)構，該肖特基接觸結(jié)構包括：

接觸金屬層，位于所述輕摻雜層上并與所述懸臂梁的端部相接；

鈍化層，位于所述輕摻雜層上并且包圍所述接觸金屬層，

其中，所述重摻雜層中對應于所述接觸金屬層的位置具有一個或多個區(qū)域，所述一個或多個區(qū)域與所述輕摻雜層相接，并且與所述輕摻雜層的對應區(qū)域在接觸界面形成耗盡區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的肖特基二極管，其中所述一個或多個區(qū)域包括重摻雜區(qū)并且摻雜類型不同于所述重摻雜層中所述一個或多個區(qū)域以外的區(qū)域的摻雜類型。

3.根據(jù)權利要求2所述肖特基二極管，其中所述重摻雜層為N型摻雜，并且所述一個或多個區(qū)域為P型摻雜。

4.根據(jù)權利要求2所述肖特基二極管，其中所述一個或多個區(qū)域的摻雜濃度大于所述重摻雜層的摻雜濃度。

5.根據(jù)權利要求1所述的肖特基二極管，其中所述一個或多個區(qū)域包括內(nèi)部嵌入有重摻雜多晶硅的絕緣層，所述重摻雜多晶硅具有導電特性。

6.根據(jù)權利要求5所述的肖特基二極管，其中所述絕緣層的與所述輕摻雜層交界的部分越靠近所述隔離槽結(jié)構越薄。

7.一種混頻器，包括如權利要求1所述的肖特基二極管。

8.一種倍頻器，包括如權利要求1所述的肖特基二極管。

9.一種制備肖特基二極管的方法，包括：

提供襯底層；

在所述襯底層上形成第一結(jié)構和第二結(jié)構，其中所述第一結(jié)構與所述第二結(jié)構之間為隔離槽結(jié)構，所述第一結(jié)構包括第一主體區(qū)和從所述第一主體區(qū)延伸的懸臂梁，所述第二結(jié)構包括第二主體區(qū)，并且所述第二主體區(qū)包括位于所述襯底層上的重摻雜層以及位于所述重摻雜層上的輕摻雜層；

在所述第二主體區(qū)上形成肖特基接觸結(jié)構，所述肖特基接觸結(jié)構包括：

接觸金屬層，位于所述輕摻雜層上并與所述懸臂梁的端部相接；以及

鈍化層，位于所述輕摻雜層上并且包圍所述接觸金屬層；

其中，所述重摻雜層中對應于所述接觸金屬層的位置具有一個或多個區(qū)域，所述一個或多個區(qū)域與所述輕摻雜層相接，并且與所述輕摻雜層的對應區(qū)域在接觸界面形成耗盡區(qū)。

10.根據(jù)權利要求9所述的制備肖特基二極管的方法，其中所述一個或多個區(qū)域包括重摻雜區(qū)并且摻雜類型不同于所述重摻雜層中所述一個或多個區(qū)域以外的區(qū)域的摻雜類型。

11.根據(jù)權利要求10所述的制備肖特基二極管的方法，其中所述重摻雜層為N型摻雜，并且所述一個或多個區(qū)域為P型摻雜。

12.根據(jù)權利要求10所述的制備肖特基二極管的方法，其中所述一個或多個區(qū)域的摻雜濃度大于所述重摻雜層的摻雜濃度。

13.根據(jù)權利要求9所述的制備肖特基二極管的方法，其中所述一個或多個區(qū)域包括內(nèi)部嵌入有重摻雜多晶硅的絕緣層，所述重摻雜多晶硅具有導電特性。

14.根據(jù)權利要求13所述的制備肖特基二極管的方法，其中所述絕緣層的與所述輕摻雜層交界的部分越靠近所述隔離槽結(jié)構越薄。