[發(fā)明專利]碎屑巖儲層成巖階段表征方法、系統(tǒng)、裝置及存儲介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011004770.5 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN112347608B | 公開(公告)日: | 2023-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 錢文蹈;馮文杰;尹太舉;張昌民;侯國偉;何苗 | 申請(專利權(quán))人: | 長江大學(xué) |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司: | 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 易賢衛(wèi) |
| 地址: | 430100*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碎屑巖 儲層成巖 階段 表征 方法 系統(tǒng) 裝置 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種碎屑巖儲層成巖階段表征方法,其特征在于,包括以下步驟:
獲取地溫梯度、地層埋深、恒溫帶埋深及古地表溫度,根據(jù)所述地溫梯度、地層埋深、恒溫帶埋深及古地表溫度獲取地層古溫度;
根據(jù)所述地層古溫度獲取源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比;
根據(jù)所述地層古溫度、源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比,對碎屑巖儲層成巖階段進(jìn)行劃分;
根據(jù)所述地層古溫度、源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比,對碎屑巖儲層成巖階段進(jìn)行劃分,具體包括,將地層古溫度在小于或等于200℃的范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于4的范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在0至1的范圍內(nèi),劃分為36個成巖階段;根據(jù)所述地層古溫度、源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比的值及36個成巖階段,確定碎屑巖儲層成巖階段的劃分;
將地層古溫度在小于或等于200℃的范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于4的范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在0至1的范圍內(nèi),劃分為36個成巖階段,具體包括,
將地層古溫度在小于或等于25℃范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在小于0.24范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在大于99并且小于或等于100范圍內(nèi)的成巖階段,劃分為第1成巖階段;
將地層古溫度在大于25℃且小于或等于195℃范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于0.24且小于3.45范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在小于或等于99且大于1范圍內(nèi)的成巖階段,劃分為第2至35成巖階段;
將地層古溫度在大于195且小于或等于200℃范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于3.45且小于或等于4范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在小于或等于1且大于或等于0范圍內(nèi)的成巖階段,劃分為第36成巖階段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲層成巖階段表征方法,其特征在于,根據(jù)所述地溫梯度、地層埋深、恒溫帶埋深及古地表溫度獲取地層古溫度,具體包括,根據(jù)公式
T=A*(H-H0)+T0
獲取地層古溫度T,其中,A為地溫梯度,H為地層埋深,H0為恒溫帶埋深,T0為古地表溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲層成巖階段表征方法,其特征在于,根據(jù)所述地層古溫度獲取源巖鏡質(zhì)體反射率,具體包括,根據(jù)公式
0.09441*T-0.8632)
獲取源巖鏡質(zhì)體反射率
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲層成巖階段表征方法,其特征在于,根據(jù)所述地層古溫度獲取伊/蒙混層蒙脫石比,具體包括,根據(jù)公式
I/S-S%=-3.293e-07*T^4+0.0001625*T^3 -0.02466*T^2 +0.5809 *T +97.06
獲取伊/蒙混層蒙脫石比I/S-S%,其中,T為地層古溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲層成巖階段表征方法,其特征在于,還包括,劃分碎屑巖儲層成巖階段后,模擬碎屑巖儲層成巖的時間域和空間域分布。
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