[發(fā)明專利]碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段表征方法、系統(tǒng)、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011004770.5
• 申請(qǐng)日: 2020-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN112347608B
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢文蹈;馮文杰;尹太舉;張昌民;侯國(guó)偉;何苗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江大學(xué)
• 主分類號(hào): G06F30/20
• 分類號(hào): G06F30/20;G06F119/08
• 代理公司: 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42231
• 代理人: 易賢衛(wèi)

1.一種碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段表征方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取地溫梯度、地層埋深、恒溫帶埋深及古地表溫度，根據(jù)所述地溫梯度、地層埋深、恒溫帶埋深及古地表溫度獲取地層古溫度；

根據(jù)所述地層古溫度獲取源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比；

根據(jù)所述地層古溫度、源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比，對(duì)碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段進(jìn)行劃分；

根據(jù)所述地層古溫度、源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比，對(duì)碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段進(jìn)行劃分，具體包括，將地層古溫度在小于或等于200℃的范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于4的范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在0至1的范圍內(nèi)，劃分為36個(gè)成巖階段；根據(jù)所述地層古溫度、源巖鏡質(zhì)體反射率及伊/蒙混層蒙脫石比的值及36個(gè)成巖階段，確定碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段的劃分；

將地層古溫度在小于或等于200℃的范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于4的范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在0至1的范圍內(nèi)，劃分為36個(gè)成巖階段，具體包括，

將地層古溫度在小于或等于25℃范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在小于0.24范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在大于99并且小于或等于100范圍內(nèi)的成巖階段，劃分為第1成巖階段；

將地層古溫度在大于25℃且小于或等于195℃范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于0.24且小于3.45范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在小于或等于99且大于1范圍內(nèi)的成巖階段，劃分為第2至35成巖階段；

將地層古溫度在大于195且小于或等于200℃范圍內(nèi)、源巖鏡質(zhì)體反射率在大于或等于3.45且小于或等于4范圍內(nèi)、I/S-S%伊/蒙混層蒙脫石比在小于或等于1且大于或等于0范圍內(nèi)的成巖階段，劃分為第36成巖階段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段表征方法，其特征在于，根據(jù)所述地溫梯度、地層埋深、恒溫帶埋深及古地表溫度獲取地層古溫度，具體包括，根據(jù)公式

T=A*(H-H₀)+T₀

獲取地層古溫度T，其中，A為地溫梯度，H為地層埋深，H₀為恒溫帶埋深，T₀為古地表溫度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段表征方法，其特征在于，根據(jù)所述地層古溫度獲取源巖鏡質(zhì)體反射率，具體包括，根據(jù)公式

Ro%=?*(3.684e-10*T^5-1.822e-07*T^4+3.325e-05*T^3-0.002658*T^2+

0.09441*T-0.8632)

獲取源巖鏡質(zhì)體反射率Ro%，其中，T為地層古溫度，?為系數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段表征方法，其特征在于，根據(jù)所述地層古溫度獲取伊/蒙混層蒙脫石比，具體包括，根據(jù)公式

I/S-S%=-3.293e-07*T^4+0.0001625*T^3 -0.02466*T^2 +0.5809 *T +97.06

獲取伊/蒙混層蒙脫石比I/S-S%，其中，T為地層古溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段表征方法，其特征在于，還包括，劃分碎屑巖儲(chǔ)層成巖階段后，模擬碎屑巖儲(chǔ)層成巖的時(shí)間域和空間域分布。