[發(fā)明專利]一種非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011004709.0
• 申請(qǐng)日: 2020-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN112103177B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮先進(jìn);徐偉東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L29/24;H01L29/786
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219
• 代理人: 趙龍群

1.一種非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

（1）清洗襯底；

（2）使用射頻磁控濺射法以銦鋁錫氧化物陶瓷靶作為靶材，在所述襯底上沉積非晶銦鋁錫氧化物薄膜；銦鋁錫氧化物陶瓷靶中In原子所占原子比為50%，Al原子所占原子比為25%，Sn原子所占原子比為25%；在沉積非銦鋁錫氧化物薄膜的過程中，襯底的溫度為室溫，通入高純氬氣的流量為10-30 SCCM，工作氣壓為3-5 mTorr，射頻功率為30-250 W；

（3）在空氣中對(duì)步驟（2）制備的非晶銦鋁錫氧化物薄膜進(jìn)行熱退火處理，即得最終產(chǎn)物非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜，該非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜可見光區(qū)平均透過率90%、帶隙寬度4.33 eV、霍爾遷移率54.0 cm²/Vs、電阻率3.42×10^-1 Ω·cm、載流子濃度3.38×10¹⁷ cm^-3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，空氣中使用加熱板，在50～600℃的溫度條件下對(duì)步驟（2）制備的非晶銦鋁錫氧化物薄膜熱退火處理10-300分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于，在250℃的溫度條件下，對(duì)步驟（2）制備的非晶銦鋁錫氧化物薄膜熱退火處理75分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟（2）使用射頻磁控濺射法沉積非晶銦鋁錫氧化物薄膜的過程中，通入高純氬氣的流量為20 SCCM，工作氣壓為3.7 mTorr，射頻功率為50 W。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的一種非晶銦鋁錫氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為拋光處理后的SiO₂/P⁺-Si和藍(lán)寶石單晶。