[發明專利]一種線圈組件、電子設備及無線充電器在審
| 申請號: | 202011003878.2 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN114256989A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 裴昌盛;張安樂;陳宇飛 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H02J50/10 | 分類號: | H02J50/10;H02J50/12;H02J7/02;H01F27/34 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 李若蘭 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 線圈 組件 電子設備 無線 充電器 | ||
本申請提供一種線圈組件、電子設備及無線充電器,涉及無線充電領域。線圈組件包括第一線圈繞組、第二線圈繞組及電路板。第一線圈繞組包括多個第一導線組,其第一引出端與外部電路連接;第二線圈繞組包括多個第二導線組,其第二引出端與外部電路連接;第二線圈繞組與第一線圈繞組層疊;電路板設置有多個第一端子和多個第二端子;每個第一端子與每個第二端子通過一條走線連接;用于連接多個第一端子與多個第二端子的多條走線中,至少兩條走線在交叉區域通過第一過孔更換至不同線路層進行交叉設置;每個第一導線組的第一連接端與每個第二導線組的第二連接端通過第一端子和第二端子連接。本申請的線圈組件的線圈繞組的發熱低,電能的傳輸效率較高。
技術領域
本申請涉及無線充電技術領域,尤其涉及一種線圈組件、電子設備及無線充電器。
背景技術
無線充電技術中,電子設備與無線充電器之間無需通過電源線連接,只需將電子設備放置在無線充電器上即可為電子設備充電,方便用戶使用。并且,電子設備上也可以省去用于連接電源線的接觸端子,進而可以提高電子設備的安全性以及防水、防塵性能。因此,近年來應用無線充電技術為電子設備充電開始備受推崇。
無線充電中,充電效率是影響用戶體驗的關鍵參數,在相同的輸入功率下,充電效率越高,充電適配器能夠輸出越多的功率,從而可實現對手機等電子設備的快速充電,以減少充電時間,提升用戶體驗。
由于在能量傳輸鏈路中,發射線圈與接收線圈為用于完成電能從無線充電器到手機等電子設備的關鍵元件。因此,線圈耦合系統是無線充電的核心設計,線圈設計的優劣嚴重影響無線充電效率,從而影響用戶體驗。
發明內容
本申請提供了一種線圈組件、電子設備及無線充電器,以提高電子設備與無線充電器之間的充電效率。
第一方面,本申請提供了一種線圈組件,所述線圈組件包括繞組單元,該繞組單元包括第一線圈繞組、第二線圈繞組以及電路板。其中,第一線圈繞組具有第一連接端和第一引出端,第一引出端用于與外部電路連接。另外,第一線圈繞組包括多個第一導線組,該多個第一導線組并排設置。相類似的,第二線圈繞組具有第二連接端和第二引出端,第二引出端用于與外部電路連接;第二線圈繞組包括多個第二導線組,該多個第二導線組并排設置。電路板可用作第一線圈繞組與第二線圈繞組之間連接的介質,電路板包括多個線路層和多個第一過孔,在多個線路層上設置有多個第一端子和多個第二端子。第一端子和第二端子通過走線連接,且用于連接多個第一端子和多個第二端子的多條走線中,至少兩條在交叉區域處穿過第一過孔更換至不同線路層進行交叉設置。在本申請中,通過在電路板上開設第一過孔,來使至少兩條走線在交叉區域通過該第一過孔更換至不同的線路層進行交叉設置,從而使電路板上的走線布置較為清晰、整齊,并且可避免走線之間的接觸短路。
在將第一線圈繞組與電路板連接時,可使第一線圈繞組的第一導線組位于第一連接端的部分固定于第一端子;第二線圈繞組與電路板連接時,第二導線組位于第二連接端的部分固定于第二端子。另外,至少兩個第一導線組與至少兩個第二導線組通過交叉設置的走線連接。
采用本申請實施例的線圈組件,通過使第一線圈繞組的至少兩個第一導線組,與第二線圈繞組的至少兩個第二導線組通過交叉設置的走線連接,電流通過第一線圈繞組和第二線圈繞組時形成的磁場在該至少兩個第一導線組和至少兩個第二導線組處的方向相反,因此可以使該至少兩個第一導線組的縫隙內的磁通和至少兩個第二導線組的縫隙內的磁通互相抵消,從而減少第一線圈繞組和第二線圈繞組的線圈縫隙內的環流的產生,進而有效的降低線圈繞組的額外發熱,其有利于提高線圈組件的電能傳輸效率。
在本申請一種可能的實現方式中,第一導線組的數量與第二導線組的數量相同,另外,還可以但不限于使第一導線組與第二導線組一一對應連接。這樣可使第一線圈繞組的全部第一導線組與第二線圈繞組的全部第二導線組均可用于電能的傳輸,從而有利于提高線圈繞組的電能傳輸效率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華為技術有限公司,未經華為技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011003878.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體結構的形成方法
- 下一篇:半導體器件及其形成方法





