[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011002970.7 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN114256295A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 梅文海;張宜馳 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括基板,所述基板包括多個發光區,其特征在于,還包括像素阻擋層;
每一所述發光區包括:依次位于所述基板上的第一電極、功能層和量子點層;
所述像素阻擋層包括開口區和堤壩,所述堤壩位于相鄰所述發光區,且包圍所述第一電極。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述堤壩在所述基板上的正投影區域與所述量子點層在所述基板上的正投影區域部分重疊。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一電極在所述基板上的正投影區域的面積、所述功能層在所述基板上的正投影區域的面積和所述量子點層在所述基板上的正投影區域的面積均相等。
4.根據權利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述功能層為電子傳輸層;
還包括:空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極;
所述空穴傳輸層、所述空穴注入層和所述第二電極依次層疊設置在所述量子點層遠離所述基板的一側。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-4任一項所述的顯示面板。
6.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
通過構圖工藝在所述基板上制作膜層限定層,所述膜層限定層包括開口區域,所述開口區的位置與發光區的位置對應;
在所述開口區域內依次制作第一電極、功能層和量子點層,并去除所述膜層限定層;
通過構圖工藝制作像素阻擋層。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述通過構圖工藝在所述基板上制作膜層限定層,所述膜層限定層包括開口區域,在所述開口區域內依次制作第一電極、功能層和量子點層,并去除所述膜層限定層,包括:
在所述基板上涂覆光刻膠,并對所述光刻膠曝光、顯影,形成第一膜層限定層,所述第一膜層限定層包括第一開口區域,所述第一開口區域的位置與紅色發光區的位置對應;
在所述第一開口區域內依次制作第一電極、電子傳輸層和紅色量子點層,并去除所述光刻膠;
在所述基板上涂覆光刻膠,并對所述光刻膠曝光、顯影,形成第二膜層限定層,所述第二膜層限定層包括第二開口區域,所述第二開口區域的位置與綠色發光區的位置對應;
在所述第二開口區域內依次制作第一電極、電子傳輸層和綠色量子點層,并去除光刻膠;
在所述基板上涂覆光刻膠,并對所述光刻膠曝光、顯影,形成第三膜層限定層,所述第三膜層限定層包括第三開口區域,所述第三開口區域的位置與藍色發光區的位置對應;
在所述第三開口區域內依次制作第一電極、電子傳輸層和藍色量子點層,并去除所述光刻膠。
8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述通過構圖工藝在所述基板上制作膜層限定層,所述膜層限定層包括開口區域,在所述開口區域內依次制作第一電極、功能層和量子點層,并去除所述膜層限定層,包括:
在所述基板上依次制作犧牲層和光刻膠,并對所述犧牲層和光刻膠進行曝光、顯影和刻蝕,形成第四膜層限定層,所述第四膜層限定層包括第四開口區域,所述第四開口區域的位置與紅色發光區的位置對應;
在所述第四開口區域內依次制作第一電極、電子傳輸層和紅色量子點層,并去除所述犧牲層和所述光刻膠;
在所述基板上依次制作犧牲層和光刻膠,并對所述犧牲層和光刻膠進行曝光、顯影和刻蝕,形成第五膜層限定層,所述第五膜層限定層包括第五開口區域,所述第五開口區域的位置與綠色發光區的位置對應;
在所述第五開口區域內依次制作第一電極、電子傳輸層和綠色量子點層,并去除所述犧牲層和所述光刻膠;
在所述基板上依次制作犧牲層和光刻膠,并對所述犧牲層和光刻膠進行曝光、顯影和刻蝕,形成第六膜層限定層,所述第六膜層限定層包括第六開口區域,所述第六開口區域的位置與藍色發光區的位置對應;
在所述第六開口區域內依次制作第一電極、電子傳輸層和藍色量子點層,并去除所述犧牲層和所述光刻膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





