[發(fā)明專利]一種MOSFET終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011002666.2
• 申請(qǐng)日: 2020-09-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112242446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代萌;李承杰;顧嘉慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海格瑞寶電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 林怡妏

1.一種MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括終端分壓區(qū)，所述終端分壓區(qū)內(nèi)設(shè)有若干的溝槽，所述終端分壓區(qū)的溝槽中靠近元胞區(qū)由內(nèi)向外所所述溝槽深度逐漸加深，溝槽間距逐漸增大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽設(shè)置于外延層中，且外延層的另一側(cè)設(shè)有基層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，在外延層通過(guò)離子注入注入P型雜質(zhì)，然后進(jìn)行退火處理，形成溝道區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽內(nèi)壁及所述溝槽之間的外延層上淀設(shè)有柵極氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽內(nèi)通過(guò)多晶硅填充滿。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括正面電極，

包括頂層金屬，頂層金屬連接各年接觸孔，且接觸孔的底部為離子注入層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括漏極，且所述漏極設(shè)于基層的另一側(cè)，且為金屬層。

8.一種MOSFET終端結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基片上進(jìn)行外延生長(zhǎng)；

掩蔽層生長(zhǎng)；

溝槽光刻；

溝槽刻蝕；

柵氧生長(zhǎng)以及多晶硅淀積；

多晶硅刻蝕以及平坦化；

溝槽區(qū)P+注入以及退火；

源區(qū)N+注入以及退火；

接觸孔光刻；

接觸孔刻蝕、接觸孔注入以及雜質(zhì)激活；

接觸孔金屬填充以及平坦化；

頂層金屬淀積以及平坦化；

背面減薄、電鍍，形成漏極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述終端分壓區(qū)內(nèi)設(shè)有若干的溝槽，所述終端分壓區(qū)的溝槽中靠近元胞區(qū)由內(nèi)向外所所述溝槽深度逐漸加深，溝槽間距逐漸增大。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MOSFET終端結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，將內(nèi)部終端溝槽的寬度由小到大設(shè)定，相同的光刻條件進(jìn)行刻蝕從而實(shí)現(xiàn)靠近元胞區(qū)的終端溝槽實(shí)現(xiàn)由淺到深的排布方式；

或，將內(nèi)部終端溝槽的寬度設(shè)定相同，通過(guò)增加光刻次數(shù)來(lái)控制每個(gè)溝槽的不同深度。