[發明專利]半導體結構的制作方法在審
| 申請號： | 202011002431.3 | 申請日： | 2020-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN112750765A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 陳憲偉;陳明發;陳英儒 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;H01L23/24;H01L23/544 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構的制作方法，包括：
提供半導體晶片，所述半導體晶片包括多個集成電路組件、分別環繞所述多個集成電路組件的多個密封環及設置在所述多個密封環之間的多個測試結構；以及
至少沿第一路徑執行第一晶片鋸切工藝，以將所述半導體晶片單體化成多個第一單體化集成電路組件，所述多個第一單體化集成電路組件各自包括所述多個測試結構之中的測試結構，
其中，當執行所述第一晶片鋸切工藝時，所述多個測試結構的多個測試接墊位于所述第一路徑旁邊，使得所述第一單體化集成電路組件中的所述多個測試結構中的對應一個測試結構的測試接墊在側向上與所述第一單體化集成電路組件的側壁間隔開一定距離。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
