[發明專利]一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器

有效

• 申請號: 202011002225.2
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112213538B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 富嘉育;李海;周鐵軍;支濤云;王喆
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: G01R1/30
• 分類號: G01R1/30
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 楊舟濤

1.一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器，包括自適應磁控移相模塊、輸入信號通道模塊、參考信號移相電路、參考信號通道模塊、相干解調模塊、低通濾波模塊和顯示輸出模塊；其特征在于：

所述的自適應磁控移相模塊的信號輸入端接調制后的信號，自適應磁控移相模塊調整輸入信號相位并把信號輸出至下一級輸入信號通道模塊，輸入信號通道模塊將得到的信號放大一定倍數，進行帶通濾波后，再經過緩沖器輸出至相干解調模塊；

所述的參考信號移相電路對參考驅動信號進行相位調整并輸出給參考信號通道模塊，所述的參考信號通道模塊包括濾波電路、比較電路以及緩沖器，對相位調整后的信號濾波，以及比較得出方波信號，作為相干解調模塊的驅動信號；相干解調模塊對處理后的輸入信號進行解調，輸出給后級低通濾波模塊；低通濾波模塊將得到的解調信號進行低通濾波并輸出給顯示輸出模塊；

所述的自適應磁控移相模塊包括多級串聯的移相電路；每一級移相電路為LC移相電路、RC移相電路、RLC移相電路中的一種；每一級移相電路中電容、電感、電阻至少一個為磁敏器件。

2.根據權利要求1所述的一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器，其特征在于：所述磁敏器件的電容由多層磁性薄膜材料構成。

3.根據權利要求1所述的一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器，其特征在于：所述磁敏器件的電感由磁性材料構成。

4.根據權利要求1所述的一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器，其特征在于：所述磁敏器件的電阻為具有巨磁阻效應的磁敏變阻器、具有各向異性磁電阻效應的磁敏變阻器、具有隧道磁電阻效應的磁敏變阻器中的一種。

5.根據權利要求1所述的一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器，其特征在于：所述的調制后的信號為當前環境下需要測量的微弱信號經過調制得到的高頻信號。

6.根據權利要求1所述的一種基于磁控移相的相位自適應調節鎖相放大器，其特征在于：所述的驅動信號為與調制后的信號同頻率的方波或者正弦波。