[發明專利]一種TFT陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202011001924.5
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112103244A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 宋安鑫;李元行;韓正宇
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

發明公開了一種TFT陣列基板及其制作方法，基板分為第一TFT區域和第二TFT區域；第一TFT區域制作第一有源層，將第一有源層劃分為溝道區域和導體化區域；溝道區域上制作第一柵極絕緣層；第一柵極絕緣層上制作第一金屬層；制作隔離層，蝕刻位于第二TFT區域上的所隔離層；蝕刻隔離層，形成兩個第一通孔；同時制作第一源極、第一漏極和第二金屬層，第一源極、第一漏極通過兩個第一通孔與有源層上的導體化區域連接；所第二金屬層置于第二TFT區域上。通過TFT陣列基板定義為兩個區域，減少第二TFT退火制程H離子擴散，提升第二TFT器件穩定性，同時由于隔離層僅保留在第一TFT區域，第二TFT膜層厚度減薄，透過率增大，可提升顯示效果。

技術領域

本發明涉及TFT陣列基板制作領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制作方法。

背景技術

銦鎵鋅氧化物IGZO(indiumgalliumzincoxide)，其載流子遷移率為非晶硅的20-30倍，可以實現超高的分辨率的TFT-LCD，同時由于其高透明性，低成本，低制造溫度等特點，在工業生產中得到廣泛應用。

由于低溫多晶硅(LTPS)作為溝道層材料擁有更高的載流子遷移率(約為IGZO-TFT的3～10倍)，因此可作為周邊GIP區域驅動TFT，利用其高載流子遷移率的特點，可以實現窄邊框設計，但由于IGZO-TFT相比于LTPS-TFT擁有更小的Ioff，顯示區域使用IGZO-TFT只需要單柵極就可抑制漏電問題，從而實現低功耗的目的。現有LTPO技術，LTPS-TFT作為GIP區域，IGZO-TFT作為顯示區域(AA區)，可以利用LTPS技術的高遷移率特性實現窄邊框化，同時利用IGZO技術的低Ioff特性實現低功耗。因此，業界諸如廠商均開始投入LTPO型TFT開發，實現窄邊框低功耗顯示技術，現有LTPO技術，LTPSTFT1通常采用頂柵自對準結構結構，IGZOTFT2通常采用BCE結構，在LTPS工藝中，ILD層通常使用SiOx/SiNx雙層結構，其中SiNx膜質H離子含量較高，在后續退火制程中H離子移動，可起到poly-Si溝道晶格修補作用，改善器件的亞閾值擺幅，SiOx膜質因為其低介電常數可以減少寄生電容；但TFT2中IGZO層對H離子較敏感，大量H離子移動易造成TFT2Vth漂移，因此要減少IGZOTFT2退火制程中H離子擴散。

發明內容

為此，需要提供一種TFT陣列基板及其制作方法，減少第二TFT退火制程中H離子擴散。

為實現上述目的，本申請提供了一種TFT陣列基板的制作方法，包括步驟：

將基板分為第一TFT區域和第二TFT區域；

于第一TFT區域制作第一有源層，并將第一有源層劃分為溝道區域和導體化區域，所述導體化區域設置于所述溝道區域兩側；

于所述溝道區域上制作第一柵極絕緣層；

于第一柵極絕緣層上制作第一金屬層；

制作含有SiNx的隔離層，并蝕刻隔離層，去除位于所述第二TFT區域上的所述隔離層并形成以所述導體化區域為底的兩個第一通孔；

同時制作第一源極、第一漏極和第二金屬層，所述第一源極、第一漏極分別通過兩個所述第一通孔與所述有源層上的導體化區域連接；所第二金屬層置于所述第二TFT區域上；

制作第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層設置在所述第一TFT區域和第二TFT區域上，覆蓋第一源極、第一漏極和第二金屬層，所述第二柵極絕緣層為SiOx結構。

進一步地，還包括步驟包括：

制作第二有源層于第二柵極絕緣層上，且所述第二有源層位于所述第二金屬層上方；

制作第二源極和第二漏極，所述第二源極和第二漏極分別與第二有源層兩側連接。

進一步地，還包括步驟：