[發明專利]薄膜晶體管陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 202011001527.8
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112951764A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 李弘范;權昶佑
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 全振永;姜長星

本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法。薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：在基板上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成半導體層；在所述半導體層上形成歐姆接觸層；以及在所述歐姆接觸層上形成包括多個金屬層圖案的源電極和漏電極，所述多個金屬層圖案中的某一個通過研磨工序被蝕刻。

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管陣列基板的制造方法。

背景技術

隨著多媒體的發展，顯示裝置的重要性正在增加。適應于此，正在使用諸如液晶顯示裝置(LCD：Liquid Crystal Display)、有機發光顯示裝置(OLED：Organic LightEmitting Display)等多種顯示裝置。

其中，液晶顯示裝置作為目前使用最廣泛的平板顯示裝置之一，包括形成有像素電極和公共電極等電場生成電極(field generating electrod)的兩張基板和位于它們之間的液晶層。液晶顯示裝置通過向電場生成電極施加電壓而在液晶層生成電場，并通過此而確定液晶層的液晶分子的方向，并控制入射光的偏光而顯示影像。

液晶顯示裝置作為利用薄膜晶體管(thin film transistor)的有源矩陣(activematrix)方式，是將薄膜晶體管連接到像素電極而根據通過薄膜晶體管的電容維持的電壓進行驅動的方式。在用于驅動液晶顯示裝置的薄膜晶體管中，重要的不僅是諸如遷移率(mobility)、漏電流(leakage current)等基本的薄膜晶體管的特性，能夠維持長壽命的耐久性和電可靠性也非常重要。

構成液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板利用多個掩模來制造。由于掩模工序消耗大量費用，因此有必要減少掩模數量而降低制造費用。然而，隨著掩模工序的減少，薄膜晶體管的特性也會不同，因此正在持續進行為了制造具有優秀的特性的薄膜晶體管的研究。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于提供一種能夠改善由于信號布線與像素電極之間的電容差異而產生的顯示缺陷的薄膜晶體管陣列基板的制造方法。

并且，本發明要解決的另一技術問題在于提供一種能夠防止薄膜晶體管的截止電流增加的薄膜晶體管陣列基板的制造方法。

本發明的技術問題并不限于以上提及的技術問題，通過以下的記載，本領域技術人員將能夠明確理解未提及的其他技術問題。

為了解決所述課題，根據本發明的一實施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，可以包括如下步驟：在基板上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成半導體層；在所述半導體層上形成歐姆接觸層；以及在所述歐姆接觸層上形成包括多個金屬層圖案的源電極和漏電極，其中，形成所述半導體層、所述歐姆接觸層、所述源電極以及所述漏電極的步驟在一個掩模工序中進行，所述多個金屬層圖案中的某一個通過研磨工序被蝕刻而形成所述源電極以及漏電極。

所述柵電極可以利用第一掩模形成。

形成所述半導體層、所述歐姆接觸層、所述源電極以及所述漏電極的步驟可以包括如下步驟：在所述基板上層疊第一非晶硅層、第二非晶硅層、第二金屬層以及第三金屬層；在所述第三金屬層上利用第二掩模形成光致抗蝕劑圖案；以及蝕刻所述第一非晶硅層、第二非晶硅層、第二金屬層以及第三金屬層而形成所述半導體層、所述歐姆接觸層、所述源電極以及所述漏電極。

所述第二掩模可以包括透射光的透射區域、阻斷光的阻斷區域以及光透射的量被調節的半透射區域。

所述光致抗蝕劑圖案可以包括與所述阻斷區域對應的第一光致抗蝕劑區域以及與所述半透射區域對應的第二光致抗蝕劑區域。

在形成所述源電極以及漏電極的步驟之后還可以包括如下步驟：在所述基板上形成鈍化膜，利用第三掩模形成暴露所述漏電極的通孔；以及利用第四掩模在所述鈍化膜上形成像素電極。