[發明專利]一種減小晶圓翹曲的方法及晶圓鍵合方法有效
| 申請號: | 202011001472.0 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN112216609B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 伍術;肖亮;王溢歡;尹朋岸;嚴孟;王歡;華子群 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/60;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高園園 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減小 晶圓翹曲 方法 晶圓鍵合 | ||
1.一種減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供在不同方向上存在翹曲度差異的晶圓;
確定所述晶圓在不同方向上的翹曲度;
根據不同方向上的所述翹曲度,沿呈現不同彎曲方向和彎曲程度的不同方向或者在晶圓的彎曲程度不同的區域采用不同的退火策略對所述晶圓進行退火,對于呈現盤狀的晶圓,在翹曲程度較大的晶圓外圍區域以第一溫度進行尖峰退火,在翹曲程度較小的接近晶圓中心的區域采用第二溫度進行尖峰退火,并且第一溫度與第二溫度不同;對于呈馬鞍形狀的晶圓,晶圓在X、Y方向上的彎曲方向不同,彎曲程度也不同,在Y方向上以850℃左右的溫度進行退火,在X方向上,以低于Y方向上的退火溫度20℃的第三溫度對晶圓進行逐行掃描式尖峰退火。
2.根據權利要求1所述的減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,沿呈現不同彎曲方向和彎曲程度的不同方向或者在晶圓的彎曲程度不同的區域采用不同的退火策略對所述晶圓進行退火,還包括以下步驟:
根據不同方向上的翹曲度,在不同方向上設定不同的退火溫度進行退火。
3.根據權利要求1所述的減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,沿呈現不同彎曲方向和彎曲程度的不同方向或者在晶圓的彎曲程度不同的區域采用不同的退火策略對所述晶圓進行退火,還包括以下步驟:
根據不同方向上的翹曲度,選定需要進行退火的區域。
4.根據權利要求3所述的減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,在選定的需要進行退火的區域進行退火,其余區域不進行退火。
5.根據權利要求1所述的減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,所述不同方向包括沿所述晶圓的徑向相互垂直的方向。
6.根據權利要求4或5所述的減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,對晶圓進行尖峰退火。
7.根據權利要求1所述的減小晶圓翹曲的方法,其特征在于,所述晶圓包括襯底、形成在所述襯底上的多層膜層。
8.一種晶圓鍵合方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供待鍵合的晶圓;
確定所述晶圓在不同方向上的翹曲度;
根據不同方向上的所述翹曲度,沿呈現不同彎曲方向和彎曲程度的不同方向或者在晶圓的彎曲程度不同的區域采用不同的退火策略對所述晶圓進行退火,對于呈現盤狀的晶圓,在翹曲程度較大的晶圓外圍區域以第一溫度進行尖峰退火,在翹曲程度較小的接近晶圓中心的區域采用第二溫度進行尖峰退火,并且第一溫度與第二溫度不同;對于呈馬鞍形狀的晶圓,晶圓在X、Y方向上的彎曲方向不同,彎曲程度也不同,在Y方向上以850℃左右的溫度進行退火,在X方向上,以低于Y方向上的退火溫度20℃的第三溫度對晶圓進行逐行掃描式尖峰退火。
9.根據權利要求8所述的晶圓鍵合方法,其特征在于,沿呈現不同彎曲方向和彎曲程度的不同方向或者在晶圓的彎曲程度不同的區域采用不同的退火策略對所述晶圓進行退火,還包括以下步驟:
根據不同方向上的翹曲度,在不同方向上設定不同的退火溫度進行退火。
10.根據權利要求8所述的晶圓鍵合方法,其特征在于,沿呈現不同彎曲方向和彎曲程度的不同方向或者在晶圓的彎曲程度不同的區域采用不同的退火策略對所述晶圓進行退火,還包括以下步驟:
根據不同方向上的翹曲度,選定需要進行退火的區域。
11.根據權利要求10所述的晶圓鍵合方法,其特征在于,在選定的需要進行退火的區域進行退火,其余區域不進行退火。
12.根據權利要求8所述的晶圓鍵合方法,其特征在于,所述不同方向包括沿所述晶圓的徑向相互垂直的方向。
13.根據權利要求11或12所述的晶圓鍵合方法,其特征在于,對晶圓進行尖峰退火。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





