[發(fā)明專利]一種激光、紅外、微波兼容隱身材料及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011001455.7 | 申請日： | 2020-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN112111720B | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃嘯谷;張云柯;馬亞斌;張?zhí)m | 申請（專利權(quán)）人： | 南京信息工程大學(xué) |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;G02B1/00;G02B5/00;G02B5/08 |
| 代理公司： | 南京匯盛專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 張立榮 |
| 地址： | 210044 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 激光 紅外 微波 兼容 隱身 材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種激光、紅外、微波兼容隱身材料，其特征在于，所述隱身材料采用多層膜系結(jié)構(gòu)，包括多層周期性層狀結(jié)構(gòu)，該周期性層狀結(jié)構(gòu)包括ZnSe薄膜和Ge薄膜；所述多層膜系結(jié)構(gòu)還包括缺陷調(diào)節(jié)層，所述缺陷調(diào)節(jié)層采用ZnS薄膜；所述隱身材料的多層膜系結(jié)構(gòu)由下至上依次設(shè)有12層膜，第1、3、5、7、9、11層為ZnSe薄膜，第2、4、6、10、12層為Ge薄膜，第8層為ZnS薄膜；所述ZnSe薄膜的厚度為1850nm，Ge薄膜的厚度為450nm，所述ZnS薄膜的厚度為125nm。
2.權(quán)利要求1所述隱身材料的制備方法，其特征在于，所述ZnSe薄膜采用射頻磁控濺射法；所述Ge薄膜采用直流磁控濺射法。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述制備方法，其特征在于，所述ZnSe薄膜的濺射功率為50W，工作氣體壓強為0.6Pa，濺射時間為30min，沉積速率為9.79nm/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述制備方法，其特征在于，所述Ge薄膜的濺射功率為100W，工作氣體壓強為1.0Pa，濺射時間為30min，沉積速率為4.193nm/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述隱身材料的制備方法，其特征在于，所述ZnS薄膜采用射頻磁控濺射法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述制備方法，其特征在于，所述ZnS薄膜的濺射功率為150W，工作氣體壓強為1.0Pa，濺射時間為30min，沉積速率為23.35nm/min。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
