[發明專利]一種基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法

在審

• 申請號: 202011001312.6
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112099311A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 孫堂友;劉云;涂杰;石卉;李海鷗;傅濤;劉興鵬;陳永和;肖功利;李琦;張法碧
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G03F1/68
• 分類號: G03F1/68;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 桂林文必達專利代理事務所(特殊普通合伙) 45134
• 代理人: 張學平

1.一種基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、以進行PMMA層(1)旋涂的AAO多孔納米結構為基底，在AAO層(2)表面鍍一層金屬層(3)，得到PMMA-AAO-金屬復合結構；

S2、將S1步驟中得到的PMMA-AAO-金屬復合結構放置到中間基片(5)上，并且放入到有機溶液(6)中，去除PMMA層(1)，利用中間基片將AAO-金屬復合結構從溶液中取出；

S3、將S2步驟中得到的AAO-金屬復合結構浸沒到酸性溶液(7)中，去除AAO層(2)，再利用玻璃基片(8)將具有納米結構的金屬層從混合溶液中取出；

S4、將S3步驟中得到的金屬-玻璃復合結構進行外延生長工藝，生長一層透明的覆蓋層(9)將金屬層(3)固定在玻璃基片(8)上，得到由納米結構金屬-玻璃組成的亞微米級光刻掩膜版。

2.如權利要求1所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，AAO層(2)的孔間距為20nm-1μm。

3.如權利要求1所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，在AAO層(2)表面鍍一層金屬得到金屬層(3)的厚度為10-500nm。

4.如權利要求1所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，所述金屬采用金、鉑、或者銅。

5.如權利要求1所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中，有機溶液(6)采用丙酮溶液、甲苯溶液、二甲苯溶液或者其他可以溶解PMMA的有機溶液。

6.如權利要求1所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述步驟S3中，所述酸性溶液(7)是除氫氟酸之外的所有的酸性溶液。

7.如權利要求1所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述步驟S4中，生長覆蓋層(9)的方法步驟具體為：

將從酸性溶液(7)中取出的金屬-玻璃復合結構經過去離子水清洗和干燥處理后，通過生長工藝，從玻璃基片(8)表面開始生長一層透光的覆蓋層(9)，直到可以將金屬層和玻璃襯底粘連在一塊，固定納米結構金屬層(3)。

8.如權利要求7所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述透明的的覆蓋層(9)將具有納米結構的金屬層(3)全部覆蓋。

9.如權利要求8所述的基于AAO納米結構光刻掩膜版的制備方法，其特征在于：所述覆蓋層(9)采用SiO2或者Si₃N₄等其他折射率合適的材料作為透光的覆蓋層材料。