[發明專利]一種低導熱低熱膨脹鎂基原料及其制備方法

有效

• 申請號: 202011001247.7
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112094125B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 黃奧;霍艷竹;顧華志;鄒永順;付綠平;張美杰
• 申請（專利權）人: 武漢科技大學
• 主分類號: C04B35/66
• 分類號: C04B35/66;C04B35/043;C04B35/622;C04B35/626
• 代理公司: 北京秉文同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11859
• 代理人: 趙星;陳少麗

1.一種低導熱低熱膨脹鎂基原料的制備方法，其特征在于：

將40～60wt％的粒徑≤1mm的電熔鎂砂顆粒、30～40wt％的粒徑≤45μm的單斜氧化鋯細粉、5～20wt％的粒徑≤45μm的氧氯化鋯細粉、0.5～2wt％的粒徑≤0.1μm的納米氫氧化鈣粉體、0.2～0.5wt％的粒徑≤45μm的輕燒氧化鎂細粉和0.1～0.3wt％的馬來酸，在25℃恒溫條件下采用高速混碾機攪拌15min混合均勻，得到混合粉體；

然后將所述混合粉體經過球磨機在25℃恒溫條件下混合3min，再置于高溫爐中在250～400℃條件下焙燒0.5～3h，冷卻至室溫形成所述低導熱低熱膨脹鎂基原料。

2.根據權利要求1所述的低導熱低熱膨脹鎂基原料的制備方法，其特征在于所述電熔鎂砂顆粒中的MgO含量為≥96wt％。

3.根據權利要求1所述的低導熱低熱膨脹鎂基原料的制備方法，其特征在于所述單斜氧化鋯細粉中的ZrO₂含量≥98wt％。

4.根據權利要求1所述的低導熱低熱膨脹鎂基原料的制備方法，其特征在于所述納米氫氧化鈣粉體的Ca(OH)₂≥98wt％。

5.根據權利要求1所述的低導熱低熱膨脹鎂基原料的制備方法，其特征在于所述輕燒氧化鎂細粉的MgO≥95wt％。

6.一種根據權利要求1-5項中任一項所述的低導熱低熱膨脹鎂基原料的制備方法制得的鎂基原料。