[發明專利]一種熔窯碹頂脹縫處理方法及處理結構

在審

• 申請號: 202011001169.0
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN111977944A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 陳營鴿;郝成東;趙濤濤;陶明林
• 申請（專利權）人: 吳江南玻玻璃有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: C03B5/42
• 分類號: C03B5/42;C03B5/43;C04B35/14;C04B35/66
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 樊曉娜

1.一種熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、大碹磚節處設置上下相對設置的上脹縫和下脹縫，上脹縫和下脹縫之間設置有標磚，先烤窯，待窯體膨脹穩定后，將焊補料填充在標磚與下脹縫之間進行焊接；

S2、待步驟S1中部分或全部焊補料在下脹縫內固化后，先在上脹縫內鋪設預設厚度的無定型填料，無定型填料覆蓋標磚和上脹縫底部，待無定型填料部分固化或全部固化后，再在無定型填料上放置至少一個零膨脹硅磚，零膨脹硅磚的左右兩側均未抵觸上脹縫的左右兩內側壁，然后在零膨脹硅磚與上脹縫內側之間的空間內澆筑無定型填料，澆筑后，零膨脹硅磚的上表面、無定型填料的上表面與大碹磚的上表面齊平；

S3、在大碹磚上設置保溫層，所述保溫層能夠覆蓋零膨脹硅磚和無定型填料。

2.根據權利要求1所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，在步驟S1中，焊補的條件為：焊補使用焊槍，焊槍與磚體表面距離范圍設置為35-50mm，在溫度范圍1000-1200℃下焊補，氧氣流量范圍設置為0.25-0.5m³/h。

3.根據權利要求1所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，在步驟S2中，在上脹縫內鋪設無定型填料時，大碹磚頂部溫度控制在200-600℃。

4.根據權利要求1所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，在步驟S3中，所述保溫層包括設置在零膨脹硅磚和無定型填料上的密封層、設置在密封層上的保溫磚以及設置在保溫磚上的保溫涂料。

5.根據權利要求1所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，所述零膨脹硅磚按重量百分比包括如下組分：

6.根據權利要求1所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，所述無定型填料按重量百分比包括如下組分：

熔融石英： 70-80％

磷酸液體： 20-30％。

7.根據權利要求5所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，所述熔融石英包括不同粒徑的石英顆粒，其中，顆粒粒徑范圍為0.35-0.2mm的石英顆粒占比5％，顆粒粒徑范圍為0.08-0.06mm的石英顆粒占比20％，顆粒粒徑范圍為0.04-0.035mm的石英顆粒占比75％。

8.根據權利要求1所述熔窯碹頂脹縫處理方法，其特征在于，所述焊補料按重量百分比包括如下組分：

所述硅粉的粒徑范圍為100-150μm，所述超細硅粉的粒徑范圍為2.5-25μm，所述超細硅粉的比表面積范圍為7.8-8.5m²/g。

9.一種基于權利要求1-8中任意一項所述的熔窯碹頂脹縫處理方法得到的處理結構，所述大碹磚(7)上設置有上下相對設置的上脹縫(1)與下脹縫(2)，所述上脹縫(1)與下脹縫(2)之間設置有標磚(8)，使得上脹縫(1)和下脹縫(2)不貫通，其特征在于，所述處理結構包括設置在下脹縫(2)內的焊補層(3)、設置在所述標磚上方的第一填充層(4)、設置在所述第一填充層(4)上的至少一個零膨脹硅磚(5)，所述零膨脹硅磚(5)與上脹縫(1)內側壁之間設置有第二填充層(6)，所述零膨脹硅磚(5)的上表面、第二填充層(6)的上表面均與大碹磚(7)的上表面齊平；

所述焊補層(3)由焊補料加熱固化后形成，所述第一填充層(4)與第二填充層(6)均由無定型填料固化后形成。

10.根據權利要求9所述的處理結構，其特征在于，所述處理結構還包括設置在零膨脹硅磚和第二填充層(6)上的密封層(91)、設置在密封層(91)上的保溫磚(92)以及設置在保溫磚(92)上的保溫涂料層(93)。