[發(fā)明專利]像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示設(shè)備、驅(qū)動(dòng)方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011000646.1
• 申請(qǐng)日: 2020-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN112133253A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈玉虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/3225
• 分類號(hào): G09G3/3225;G09G3/3266
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 姚璐;張穎玲

1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、存儲(chǔ)電容、數(shù)據(jù)傳輸通路和發(fā)光元件，其中：所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的漏極相連接，所述第一晶體管的源極與所述第三晶體管的漏極相連接，所述第一晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容的下電極相連接；所述存儲(chǔ)電容的上電極接入工作電壓；所述第二晶體管的源極接入?yún)⒖夹盘?hào)，所述第二晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)；所述第三晶體管的源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)，所述第三晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)；所述數(shù)據(jù)傳輸通路，連接于所述存儲(chǔ)電容和所述發(fā)光元件之間；

所述第一晶體管，用于提供電流至所述發(fā)光元件，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光元件發(fā)光；

所述第二晶體管，用于使所述第一晶體管的漏極和柵極的電位初始化；

所述第三晶體管，用于使表示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述存儲(chǔ)電容；

所述存儲(chǔ)電容，用于存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)信號(hào)；

所述數(shù)據(jù)傳輸通路，用于將所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸給所述發(fā)光元件；

所述發(fā)光元件，用于發(fā)射所述數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的光信號(hào)；

所述第一掃描信號(hào)和所述第二掃描信號(hào)用于行選，所述參考信號(hào)用于電位初始化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)傳輸通路包括：第五晶體管和第六晶體管，其中：所述第五晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極相連接，所述第五晶體管的柵極接入控制信號(hào)，所述第五晶體管的源極接入工作電壓；所述第六晶體管的源極與所述第一晶體管的漏極相連接，所述第六晶體管的柵極接入所述控制信號(hào)，所述第六晶體管的漏極與所述發(fā)光元件的陽(yáng)極相連接；所述存儲(chǔ)電容的上電極與所述第五晶體管的源極相連接，所述存儲(chǔ)電容的下電極與所述第一晶體管的柵極相連接；

所述第五晶體管和所述第六晶體管，用于使所述發(fā)光元件在不同的工作狀態(tài)之間進(jìn)行切換，所述不同的工作狀態(tài)包括導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)，其中在所述發(fā)光元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，將所述存儲(chǔ)電容中的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸給所述發(fā)光元件；

所述控制信號(hào)用于控制所述發(fā)光元件的工作狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：第四晶體管，其中：所述第四晶體管的柵極接入所述控制信號(hào)，所述第四晶體管的源極與所述第一晶體管的漏極相連接，所述第四晶體管的漏極與所述第一晶體管的柵極相連接；

所述第四晶體管，用于對(duì)所述第一晶體管的閾值電壓的偏差進(jìn)行補(bǔ)償。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：第七晶體管，其中：所述第七晶體管的源極接入所述參考信號(hào)，所述第七晶體管的柵極接入所述第一掃描信號(hào)，所述第七晶體管的漏極與所述發(fā)光元件的陽(yáng)極相連接；所述發(fā)光元件的陰極接入接地端電壓；

所述第七晶體管，用于使所述發(fā)光元件的陽(yáng)極的電位初始化。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述電路中第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管為低溫多晶硅LTPS薄膜晶體管；所述第四晶體管為低溫多晶硅和氧化物L(fēng)TPO薄膜晶體管。

6.一種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備包括權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

7.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，應(yīng)用于像素驅(qū)動(dòng)電路，所述方法包括：

利用所述電路中的第二晶體管對(duì)所述電路中的第一晶體管的漏極和柵極的電位進(jìn)行初始化；

利用所述電路中的第三晶體管獲取表示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所述數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述電路的存儲(chǔ)電容中；

利用所述電路中的數(shù)據(jù)傳輸通路將所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸給所述電路中的發(fā)光元件；

通過所述第一晶體管提供的電流驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光元件發(fā)光，以使所述發(fā)光元件發(fā)射所述數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的光信號(hào)。