[發(fā)明專(zhuān)利]一種共模電平切換高速比較器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010997132.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112290949B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉術(shù)彬;張效銘;韓昊霖;丁瑞雪;朱樟明 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03M1/34 | 分類(lèi)號(hào): | H03M1/34 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長(zhǎng)春 |
| 地址: | 710000 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電平 切換 高速 比較 | ||
1.一種共模電平切換高速比較器,其特征在于,所述比較器包括:第一級(jí)預(yù)放大器、第一級(jí)鎖存電路、第二級(jí)鎖存電路和時(shí)鐘位移電路,所述第一級(jí)鎖存電路包括:第十一MOS管(M11)、第十二MOS管(M12)、第十三MOS管(M13)、第十四MOS管(M14)、第二十三MOS管(M23)以及第二十四MOS管(M24),所述時(shí)鐘位移電路包括:高時(shí)鐘信號(hào)端(CLKH)以及第一低時(shí)鐘信號(hào)端(CLKL),所述第一級(jí)預(yù)放大器的時(shí)鐘信號(hào)端與所述高時(shí)鐘信號(hào)端(CLKH)相連,所述第一低時(shí)鐘信號(hào)端(CLKL)與外部電路的低時(shí)鐘信號(hào)相連,所述第一級(jí)預(yù)放大器的電源端接入高電源電壓(VDDH),所述第二級(jí)鎖存電路的電源端接入第一低電源電壓(VDDL),所述第十一MOS管(M11)的柵極與所述第一級(jí)預(yù)放大器的第一輸出端(VN1)相連,所述第十一MOS管(M11)的漏極(VP2)分別與所述第二級(jí)鎖存電路的第二輸入端(VP3),所述第十三MOS管(M13)的漏極、所述第十四MOS管(M14)的柵極相連,所述第十三MOS管(M13)的源極分別與所述第二十四MOS管(M24)的漏極、所述第十四MOS管(M14)的源極相連,所述第二十四MOS管(M24)的柵極與所述第一低時(shí)鐘信號(hào)端(CLKL)相連,所述第二十四MOS管(M24)的源極與所述第一低電源電壓(VDDL)相連,所述第十四MOS管(M14)的漏極(VN2)分別與所述第十三MOS管(M13)的柵極、所述第二級(jí)鎖存電路的第一輸入端(VN3)、所述第十二MOS管(M12)的漏極相連,所述第十二MOS管(M12)的源極分別與所述第二十三MOS管(M23)的柵極、所述第二十三MOS管(M23)的漏極、所述第十一MOS管(M11)的源極、所述第一級(jí)預(yù)放大器中接電源地的MOS管的柵極相連,所述第十二MOS管(M12)的柵極與所述第一級(jí)預(yù)放大器中的第二輸出端(VP1)相連;
所述時(shí)鐘位移電路包括:第二十六MOS管(M26)、第二十七M(jìn)OS管(M27)、第二十八MOS管(M28)以及電容(CB),所述第二十六MOS管(M26)的柵極(CLKL)與外部電路的低時(shí)鐘信號(hào)相連,所述第二十六MOS管(M26)的漏極與共模電平(VCM)相連,所述第二十六MOS管(M26)的源極與所述電容(CB)的上級(jí)板、所述第一級(jí)預(yù)放大器的時(shí)鐘信號(hào)端相連,所述電容(CB)的下級(jí)板分別與所述第二十七M(jìn)OS管(M27)的源極、所述第二十八MOS管(M28)的漏極相連,所述第二十七M(jìn)OS管(M27)的柵極(CLKL)與外部電路的低時(shí)鐘信號(hào),所述第二十七M(jìn)OS管(M27)的漏極與第二低電源電壓(DVDDL)相連,所述第二十八MOS管(M28)的柵極(CLKL)與外部電路的低時(shí)鐘信號(hào),所述第二十八MOS管(M28)的源極與電源地(GND)相連;
其中,所述共模電平(VCM)的值為所述第二低電源電壓(DVDDL)的二分之一;
所述第二級(jí)鎖存電路包括:第十五MOS管(M15)、第十六MOS管(M16)、第十七M(jìn)OS管(M17)、第十八MOS管(M18)、第十九MOS管(M19)、第二十MOS管(M20)以及第二十五MOS管(M25),所述第十五MOS管(M15)、第十六MOS管(M16)以及所述第二十五MOS管(M25)是N溝道的MOS管,所述第十七M(jìn)OS管(M17)、第十八MOS管(M18)、第十九MOS管(M19)、第二十MOS管(M20)是P溝道的MOS管,所述第十七M(jìn)OS管(M17)包括:柵極(VP3)、源極以及漏極,所述第十八MOS管(M18)包括:柵極(VN3)、源極以及漏極,所述第十七M(jìn)OS管(M17)的源極分別與所述第十九MOS管(M19)的源極、所述第二十MOS管(M20)的源極、所述第十八MOS管(M18)的源極、低電源電壓相連,所述第十九MOS管(M19)的漏極分別與所述第十七M(jìn)OS管(M17)的漏極、所述第二十MOS管(M20)的柵極、所述第十五MOS管(M15)的漏極、所述第十六MOS管(M16)的柵極相連,所述第十五MOS管(M15)的源極分別與所述第十六MOS管(M16)的源極、所述第二十五MOS管(M25)的漏極相連,所述第二十五MOS管(M25)的源極與電源地相連,所述第二十五MOS管(M25)的柵極與外部電路的低時(shí)鐘信號(hào)(CLKL)相連,所述第十六MOS管(M16)的漏極分別與所述第十五MOS管(M15)的柵極、所述第二十MOS管(M20)的漏極、所述第十九MOS管(M19)的柵極,所述第十八MOS管(M18)的漏極相連;
所述第一級(jí)預(yù)放大器包括:第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6),第七M(jìn)OS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10)、第二十一MOS管(M21)以及第二十二MOS管(M22),所述M1的源極分別與所述M2的源極,所述第二十一MOS管(M21)的漏極相連,所述第二十一MOS管(M21)的柵極接入外部電路的低時(shí)鐘信號(hào),所述第二十一MOS管(M21)的源極分別與所述第二十二MOS管(M22)的漏極、所述第二十二MOS管(M22)的柵極、所述第二十三MOS管(M23)的柵極相連,所述第二十二MOS管(M22)的源極與電源地(GND)相連,所述M2的柵極分別與所述M4的柵極、所述M4的源極、所述M4的漏極、所述M6的柵極、所述M5的漏極、所述M7的漏極(VN1)相連,所述M2的漏極所述M6的源極相連,所述M6的漏極(VP1)分別與所述M5的柵極、所述M8的漏極相連,所述M8的柵極分別與所述M7的柵極、所述高時(shí)鐘信號(hào)端(CLKH)相連,所述M8的源極分別與所述M10的漏極、所述M10的柵極、所述M9的柵極、所述M9的漏極、所述M7的源極相連,所述M10的源極與所述M9的源極相連,并接入高電源電壓(VDDH)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于西安電子科技大學(xué),未經(jīng)西安電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010997132.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。





