[發(fā)明專利]一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010996920.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112030144A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢鋒;姚飛;王小東;廖運(yùn)華;梁錦東;陳進(jìn)福 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞帕薩電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/50 | 分類號(hào): | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司: | 深圳國海智峰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44489 | 代理人: | 王慶海;劉軍鋒 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市寮步*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 等離子體 增強(qiáng) 化學(xué) 沉積 設(shè)備 | ||
1.一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,包括抽真空機(jī)構(gòu)、反應(yīng)機(jī)構(gòu)及移送機(jī)構(gòu),所述抽真空機(jī)構(gòu)與所述反應(yīng)機(jī)構(gòu)相連通,所述移送機(jī)構(gòu)將待處理產(chǎn)品送入或取出所述反應(yīng)機(jī)構(gòu),所述反應(yīng)機(jī)構(gòu)包括反應(yīng)腔室、電極組件及承載組件,所述電極組件設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的頂端并在所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部移動(dòng),所述承載組件設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底端并在所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部移動(dòng),所述電極組件包括至少一個(gè)出氣裝置,所述出氣裝置從上往下依次包括呈中空狀的彌散管和彌散球頭,所述彌散管和所述彌散球頭均設(shè)有若干個(gè)均勻分布的彌散孔,所述電極組件為導(dǎo)電材料,所述電極組件加設(shè)偏壓電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述彌散管上套設(shè)有密封蓋板,所述密封蓋板在工作時(shí)蓋壓待處理產(chǎn)品并使待處理產(chǎn)品內(nèi)部真空度范圍為1Pa-100Pa,反應(yīng)腔室的真空度范圍為0.1Pa-10Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述電極組件還包括第一升降機(jī)構(gòu)、上電極板及進(jìn)氣通道,所述第一升降機(jī)構(gòu)固定在所述反應(yīng)腔室的頂端,所述上電極板固定在所述第一升降機(jī)構(gòu)的升降軸上,所述上電極板與所述進(jìn)氣通道相連通,所述出氣裝置固定在所述上電極板的底端并與所述上電極板連通,所述上電極板與偏壓負(fù)極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述上電極板開設(shè)有若干層彌散層,所述彌散層的寬度從上往下依次擴(kuò)大,相鄰兩彌散層之間設(shè)有彌散板,所述彌散板上設(shè)有若干個(gè)彌散通口,且從上往下彌散板的彌散通口依次變細(xì),且位于底端的彌散板上設(shè)有若干個(gè)出氣裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述承載組件包括第二升降機(jī)構(gòu)、下電極板及定位件,所述第二升降機(jī)構(gòu)固定在所述反應(yīng)腔室的底端,所述下電極板固定在所述第二升降機(jī)構(gòu)的升降軸上,所述定位件設(shè)于所述下電極板上,所述下電極板與偏壓正極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述移送機(jī)構(gòu)包括移送腔室、進(jìn)片件、移送驅(qū)動(dòng)裝置及導(dǎo)向桿,所述移送驅(qū)動(dòng)裝置固定在所述移送腔室的腔壁上,所述導(dǎo)向桿固定設(shè)置在所述移送腔室的內(nèi)部,所述進(jìn)片件與所述移動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置傳動(dòng)連接,所述進(jìn)片件與所述導(dǎo)向桿滑動(dòng)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述移送腔室的側(cè)壁上固定設(shè)有定位監(jiān)測裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述抽真空機(jī)構(gòu)包括干泵、羅茨泵,所述羅茨泵和反應(yīng)腔室之間設(shè)有角閥和蝶閥。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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