[發(fā)明專利]一種雜散光吸收器、光芯片及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010995714.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-21
• 公開（公告）號(hào): CN112099136A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜炳政;朱曉田;李特爾·布蘭特·埃弗雷特;戴維森·羅伊·理查德;張強(qiáng);李偉恒;王翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海奇芯光電科技有限公司;西安奇芯光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/12
• 分類號(hào): G02B6/12
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 唐沛

1.一種雜散光吸收器，其特征在于：包括開設(shè)在光芯片上的凹槽，凹槽內(nèi)填充有可將不同波長(zhǎng)、不同模式和不同角度的雜散光全部吸收的吸收材料，凹槽的長(zhǎng)度、寬度以及深度均為微米級(jí)或亞微米級(jí)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜散光吸收器，其特征在于：所述傾斜面為直線斜面或曲線斜面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雜散光吸收器，其特征在于：所述凹槽采用CMOS的灰度刻蝕工藝或者機(jī)械刻蝕的制作。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雜散光吸收器，其特征在于：光吸收材料為吸光環(huán)氧樹脂、吸光聚合物或吸光涂層。

5.一種光芯片，包括輸入波導(dǎo)、輸出波導(dǎo)，至少一條光信號(hào)傳輸波導(dǎo)和/或至少一個(gè)敏感區(qū)域；其特征在于：輸入波導(dǎo)兩側(cè)設(shè)置兩個(gè)如權(quán)利要求1-4所述雜散光吸收器，用于將輸入波導(dǎo)輸出的雜散光進(jìn)行吸收。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述光芯片，其特征在于：輸出波導(dǎo)兩側(cè)設(shè)置兩個(gè)如權(quán)利要求1-4所述雜散光吸收器，用于將輸出波導(dǎo)輸出的雜散光進(jìn)行吸收。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述光芯片，其特征在于：光信號(hào)傳輸波導(dǎo)一側(cè)或兩側(cè)設(shè)有如權(quán)利要求1-4所述雜散光吸收器，用于將光信號(hào)傳輸波導(dǎo)輸出的雜散光進(jìn)行吸收。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述光芯片，其特征在于：其特征在于：每一個(gè)敏感區(qū)域被多個(gè)如權(quán)利要求1-4所述雜散光吸收器包圍其中。

9.一種光芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：芯片本體制作

步驟1.1：在基層上依次采用沉積或生長(zhǎng)的方式制作下包覆層、波導(dǎo)層以及上包覆層，從而構(gòu)成光芯片本體；

步驟1.2：采用CMOS灰度刻蝕的方式在光芯片本體上開設(shè)凹槽；

步驟2：向凹槽內(nèi)填充光吸收材料，在光芯片上形成寬波段雜散光吸收器后再對(duì)光芯片進(jìn)行封裝。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光芯片的制作方法，其特征在于，還包括

封裝前檢測(cè)步驟，具體是：

執(zhí)行完步驟1后判斷開設(shè)凹槽后的光芯片的光串?dāng)_影響是否符合使用需求，

若符合要求，則對(duì)直接對(duì)光芯片進(jìn)行封裝；

若不符合要求，則執(zhí)行步驟2。