[發明專利]半導體設備及其工藝腔室在審
| 申請號: | 202010989779.X | 申請日: | 2020-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN112111785A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 李世凱 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C30B25/10 | 分類號: | C30B25/10;C30B25/08;C30B29/36;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 及其 工藝 | ||
1.一種半導體設備的工藝腔室,其特征在于,包括:工藝管、電磁加熱組件及保溫結構;
所述電磁加熱組件包括電磁線圈及感應加熱器,所述電磁線圈環繞設置于所述工藝管的外周,并且所述電磁線圈的內壁與所述工藝管的外壁之間具有第一預設間距,所述電磁線圈的匝間距沿所述電磁線圈中間向兩端依次遞減;所述感應加熱器設置于所述工藝管內,并且與所述電磁線圈對應設置,所述感應加熱器內形成有容置空間,所述感應加熱器用于感應所述電磁線圈的磁場而產生熱量;
所述保溫結構包覆所述感應加熱器,并且所述保溫結構對應于所述容置空間的位置處開設有傳輸口。
2.如權利要求1所述的工藝腔室,其特征在于,所述保溫結構的外壁與所述工藝管的內壁之間具有第二預設間距。
3.如權利要求1所述的工藝腔室,其特征在于,所述感應加熱器包括兩個相對且間隔設置的加熱件,兩個所述加熱件均為空心結構或者均為實心結構,兩個所述加熱件之間的間隙形成所述容置空間。
4.如權利要求3所述的工藝腔室,其特征在于,所述感應加熱器整體成柱狀,所述保溫結構包括保溫套筒及保溫蓋,所述保溫套筒套設于所述感應加熱器外周上,兩個所述保溫蓋分別嵌入所述保溫套筒的兩個端口,所述傳輸口形成于所述保溫蓋上。
5.如權利要求4所述的工藝腔室,其特征在于,所述保溫套筒包括兩個環形半筒,兩個所述環形半筒相互搭接構成所述保溫套筒。
6.如權利要求1所述的工藝腔室,其特征在于,所述工藝管包括內外嵌套安裝的內工藝管及外工藝管,所述內工藝管的長度大于所述外工藝管;所述外工藝管的兩端均與所述內工藝管外壁密封連接,并且所述外工藝管的內壁與所述內工藝管的外壁之間形成有冷卻空間;所述工藝管還包括冷卻結構,用于向所述冷卻空間內通入冷卻介質以及從所述冷卻空間中導出所述冷卻介質。
7.如權利要求6所述的工藝腔室,其特征在于,所述冷卻結構包括有冷卻管組件及回收管組件,所述冷卻管組件及所述回收管組件相對于所述內工藝管對稱設置,所述冷卻管組件用于將所述冷卻介質通入所述冷卻空間,所述回收管組件用于將所述冷卻介質導出所述冷卻空間。
8.如權利要求7所述的工藝腔室,其特征在于,所述冷卻管組件及所述回收管組件均包括中間分液管及多個側方分液管,多個所述側方分液管對稱設置在所述中間分液管的兩側;
所述中間分液管和所述側方分液管均包括分液段和連接段,所述分液段設置于所述冷卻空間內,所述分液段一端封閉,另一端與所述連接段連通,所述連接段一端與所述分液段連通,另一端開口并伸出所述冷卻空間;
所述中間分液管的分液段朝向所述側方分液管側壁上均開設有多個分液孔;所述側方分液管的分液段遠離所述中間分液管的側壁上開設有多個分液孔。
9.如權利要求8所述的工藝腔室,其特征在于,多個所述分液孔的孔徑沿所述分液段的軸向依次遞增或依次遞減。
10.如權利要求8所述的工藝腔室,其特征在于,
所述冷卻管組件包括的所述中間分液管及多個所述側方分液管的連接段均垂直于所述外工藝管的外壁設置,且各所述連接段的軸線均位于同一平面上,任意兩個相鄰的所述連接段的軸線之間呈第一預設夾角;
所述回收管組件包括的所述中間分液管及多個所述側方分液管的連接段均垂直于所述外工藝管的外壁設置,且各所述連接段的軸線均位于同一平面上,任意兩個相鄰的所述連接段的軸線之間呈所述第一預設夾角。
11.一種半導體設備,其特征在于,包括如權利要求1至10的任一所述的半導體設備的工藝腔室。
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