[發明專利]一種雙基島半導體器件封裝框架在審
| 申請號： | 202010989687.1 | 申請日： | 2020-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN112071820A | 公開（公告）日： | 2020-12-11 |
| 發明（設計）人： | 王磊 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶界半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿易試驗區蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙基島 半導體器件 封裝 框架 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，包括：
基材層，所述基材層由絕緣材料制成；
過孔，將所述基材層從底面貫通至上表面；
導電金屬層，位于所述基材層的所述底面和所述上表面上；
過孔引出金屬，設置在從所述基材層的所述底面貫穿至所述上表面的過孔中，且電氣連接在所述底面的所述導電金屬層和所述上表面的所述導電金屬層之間。
2.根據權利要求1所述的一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，所述基材層采用的材料為Si3N4、Al2O3、AlN、或金剛石。
3.根據權利要求1所述的一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，所述的導電金屬層外部還覆蓋有復合金屬層。
4.根據權利要求1或3所述的一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，所述的導電金屬層包括基材層的上表面金屬導電層和底面金屬導電層。
5.根據權利要求1或4所述的一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，所述的上表面金屬導電層包括兩個基島區域和若干個引腳區域。
6.根據權利要求1或4所述的一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，所述的底面金屬導電層包括單個基島區域和若干個引腳區域。
7.根據權利要求1所述的一種雙基島半導體器件封裝框架，其特征在于，所述的雙基島半導體器件封裝形式為DFN封裝形式。
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