[發明專利]一種貴金屬銀材料及其制備方法、銀器

有效

• 申請號: 202010988399.4
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112226643B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 廖斐鳴
• 申請（專利權）人: 國金黃金股份有限公司
• 主分類號: C22C5/06
• 分類號: C22C5/06;C22C1/02;C22F1/14
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 白雪

1.一種貴金屬銀材料，其特征在于，所述貴金屬銀材料由單質Ag、Mex和單質As組成；其中，所述Mex由單質Sb和/或單質Ga組成；所述Mex和所述單質As作為所述貴金屬銀材料的微摻雜組分；所述貴金屬銀材料由99.99%的所述單質Ag，10~50ppm的所述Mex和余量的所述單質As組成；所述Mex和所述單質As的重量比為（1:9）~（5:5）。

2.根據權利要求1所述的貴金屬銀材料，其特征在于，所述Mex和所述單質As的重量比為（1:9）~（2:8）。

3.根據權利要求1或2所述的貴金屬銀材料，其特征在于，所述Mex由所述單質Sb和所述單質Ga組成，且所述單質Sb和所述單質Ga的重量比為（1:3）~（3:1）。

4.根據權利要求1或2所述的貴金屬銀材料，其特征在于，按重量含量計，

所述貴金屬銀材料由99.99%的所述單質Ag、10ppm的所述單質Ga及90ppm的所述單質As組成；或者，

所述貴金屬銀材料由99.99%的所述單質Ag、10ppm的所述單質Sb及90ppm的所述單質As組成；或者，

所述貴金屬銀材料由99.99%的所述單質Ag、80ppm的所述單質As、10ppm的所述單質Sb及10ppm的所述單質Ga組成；或者，

所述貴金屬銀材料由99.99%的所述單質Ag、80ppm的所述單質As、5ppm的所述單質Sb及15ppm的所述單質Ga組成；或者，

所述貴金屬銀材料由99.99%的所述單質Ag、50ppm的所述單質As、30ppm的所述單質Sb及20ppm的所述單質Ga組成。

5.一種權利要求1至4中任一項所述的貴金屬銀材料的制備方法，其特征在于，將單質Ag、Mex和單質As進行混合，然后進行熔煉，得到所述貴金屬銀材料。

6.根據權利要求5所述的貴金屬銀材料的制備方法，其特征在于，所述熔煉中得到了熔煉銀材料，所述制備方法還包括：將所述熔煉銀材料進行機械碾壓處理，得到所述貴金屬銀材料。

7.根據權利要求6所述的貴金屬銀材料的制備方法，其特征在于，將所述熔煉銀材料在銑床上進行所述機械碾壓處理，且所述銑床的碾壓頭轉速為ω=2000~4000r/min，碾壓頭橫向移動速度為v=10~50mm/min，碾壓鋼球的直徑為3~10mm；所述機械碾壓處理過程中，碾壓深度為0.05~0.2mm。

8.一種銀器，其特征在于，所述銀器的材料為權利要求1至4中任一項所述的貴金屬銀材料。