[發明專利]一種三元化合物半導體材料及其制作方法在審
| 申請號： | 202010987923.6 | 申請日： | 2020-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN112201581A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發明（設計）人： | 何高航;李政成;馮博淵;丁孫安 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L29/22;H01L29/221;H01L29/225 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三元 化合物 半導體材料 及其 制作方法 | ||
1.一種三元化合物半導體材料的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供彼此層疊設置的氧化鋁材料層和氧化鎵材料層；
對所述氧化鋁材料層和所述氧化鎵材料層進行退火處理，使所述氧化鋁材料層的鋁原子擴散到所述氧化鎵材料層中，以獲得三元化合物半導體材料。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用外延生長工藝將所述氧化鎵材料層直接生長在所述氧化鋁材料層上的情況下，所獲得的所述三元化合物半導體材料為氧化鎵鋁材料。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，將分別獨立制成的所述氧化鎵材料層和所述氧化鋁材料層緊貼在一起的情況下，所獲得的所述三元化合物半導體材料為氧化鎵鋁/氧化鎵異質結材料。
4.根據權利要求1至3任一所述的制作方法，其特征在于，對所述氧化鋁材料層和所述氧化鎵材料層進行退火處理的方法包括：
將層疊設置的所述氧化鋁材料層和所述氧化鎵材料層放置于加熱腔室內；
向所述加熱腔室內通入氧氣，并將所述加熱腔室的內部溫度調節至預設溫度，以對所述氧化鋁材料層和所述氧化鎵材料層進行預設時間的加熱退火。
5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述退火處理的預設時間為2小時～6小時，所述預設溫度為800℃～1400℃。
6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述氧氣的通入量為20sccm～100sccm。
7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化鋁材料層和/或所述氧化鎵材料層采用分子束外延工藝、化學氣相沉積工藝、物理沉積工藝中的一種來制作。
8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在層疊設置所述氧化鋁材料層和所述氧化鎵材料層之前，所述制作方法還包括：
依次用丙酮溶液、異丙醇溶液和酒精溶液對所述氧化鋁材料層和/或所述氧化鎵材料層進行超聲清洗；
超聲清洗后，采用去離子水沖洗所述氧化鋁材料層和/或所述氧化鎵材料層，并用氮氣吹干。
9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述超聲清洗時間為5分鐘～10分鐘。
10.一種三元化合物半導體材料，其特征在于，所述三元化合物半導體材料由權利要求1至9任一所述的制作方法來制作。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
