[發明專利]用于超寬帶毫米波可重構注入鎖定多模式單端輸出倍頻器

有效

• 申請號: 202010987774.3
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112350669B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 馬凱學;王志鵬;馬宗琳;傅海鵬;鄭玉學;王雍赟
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H03B19/14
• 分類號: H03B19/14
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 徐金生

1.用于超寬帶毫米波可重構注入鎖定多模式單端輸出倍頻器，其特征在于，包括三倍頻模塊和二倍頻模塊；

對于三倍頻模塊，該三倍頻模塊包括直流電源DC1～DC2、三極管PMOS1～PMOS3、三極管NMOS1～NMOS4、變壓器T1、變壓器T2、電感L1、電感L4、電容C1和電容C2；

直流電源DC2的正極，連接三極管PMOS3的源極；

直流電源DC2的負極接地；

三極PMOS3的漏極，與電感L1的共模點相連接；

電感L1的兩端，分別通過變壓器T1的輸出線圈和變壓器T2的輸出線圈，與交叉對管NMOS1和NMOS2的漏極相連接；

NMOS1的源極和NMOS2的源極，分別接地；

直流電源DC1的正極，分別連接三極管PMOS1的源極和PMOS2的源極；

直流電源DC1的負極，接地；

三極管PMOS1的柵極，和三極管NMOPS3的柵極相接；

三極管PMOS2的柵極，和三極管NMOPS4的柵極相接；

其中，三極管PMOS1的柵極和三極管NMOPS3的柵極在相交匯流后，與信號源的基波信號輸出端IN+相連接；

三極管PMOS2的柵極和三極管NMOPS4的柵極在相交匯流后，與信號源的基波信號輸出端IN-相連接；

其中，三極管PMOS的漏極和NMOPS3的漏極，經過變壓器T1的輸入線圈相連；

三極管PMOS2的漏極和NMOS4的漏極，經過變壓器T2的輸入線圈相連；

三極管NMOS3的源極和NMOS4的源極，分別接地；

三極管NMOS3的漏極，通過電容C1接地；

三極管NMOS4的漏極，通過電容C2接地；

對于二倍頻模塊，該二倍頻模塊包括直流電源DC3、三極管NMOS5～NMOS10、電感L2以及三極管PMOS4；

直流電源DC3的正極，連接三極管PMOS4的源極；

直流電源DC3的負極，接地；

PMOS4的漏極，與電感L2的共模點相連接；

電感L2的兩端，分別與交叉對管NMOS7和NMOS8的漏極、注入三極管NMOS5和NMOS6的漏極，以及DUMMY三極管NMOS9和NMOS10的漏極相接；

NMOS5的柵極和NMOS6的柵極，分別與信號源的基波信號輸出端IN-和IN+相連接；

NMOS5的源極和NMOS6的源極，共同接地；

NMOS7的源極和NMOS8的源極，共同接地；

虛空結構DUMMY三極管NMOS9和NMOS10的柵極和源極在相交匯流后，都接地。

2.如權利要求1所述的用于超寬帶毫米波可重構注入鎖定多模式單端輸出倍頻器，其特征在于，信號源的輸出端，分別與電容C4的一端和電感L3的一端相接；

電容C4的另一端接地；

電感L3的另一端，分別接電阻R3的一端和電容C3的一端；

電容C3的另一端接地；

電阻R3的另一端接地。

3.如權利要求1或2所述的用于超寬帶毫米波可重構注入鎖定多模式單端輸出倍頻器，其特征在于，直流電源DC1、DC2和DC3，分別用于提供1.2V的直流電壓。