[發(fā)明專利]電子設(shè)備外殼及電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010986800.0 | 申請日： | 2020-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN112040697A | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王建峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市嘉德真空光電有限公司 |
| 主分類號： | H05K5/02 | 分類號： | H05K5/02;H04M1/02 |
| 代理公司： | 廣州市南鋒專利事務(wù)所有限公司 44228 | 代理人： | 鄭學(xué)偉;葉利軍 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍華*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子設(shè)備 外殼 | ||
1.一種電子設(shè)備外殼，其特征在于，包括：
基材層；
亮銀層，所述亮銀層包括打底層、光學(xué)增亮層及非導(dǎo)金屬增亮層；
所述打底層形成于所述基材層上；
所述光學(xué)增亮層形成于所述打底層上，所述光學(xué)增亮層為氧化鈮和/或二氧化硅材料；
所述非導(dǎo)金屬增亮層形成于所述光學(xué)增亮層上，所述非導(dǎo)金屬增亮層為銦和/或銦錫合金材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，還包括保護層，所述保護層形成于所述非導(dǎo)金屬增亮層上，所述保護層為氧化鈮和/或氧化鈦材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述非導(dǎo)金屬增亮層與所述光學(xué)增亮層之間設(shè)有過渡層，所述過渡層為硅材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述光學(xué)增亮層包括第一光學(xué)增亮層及第二光學(xué)增亮層，所述第一光學(xué)增亮層形成于所述打底層上，所述第二光學(xué)增亮層形成于所述第一光學(xué)增亮層上，且所述第二光學(xué)增亮層的折射率低于所述第一光學(xué)增亮層的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述保護層包括第一保護層及第二保護層，所述第一保護層形成于所述非導(dǎo)金屬增亮層上，且所述第一保護層為氧化鈮材料，所述第二保護層形成于所述第一保護層上，且所述第二保護層為氧化鈦材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述打底層為硅、氧化鋯、氧化鈦中的一種或幾種材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述打底層包括第一打底層及第二打底層，所述第一打底層形成于所述基材層，且所述第一打底層為氧化鋯，所述第二打底層形成于所述第一打底層上，且所述第二打底層為氧化鈦材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述基材層包括依次設(shè)置的基底層、UV層及顏色圖案層，所述打底層形成于所述顏色圖案層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備外殼，其特征在于，所述打底層及光學(xué)增亮層在第一真空環(huán)境下真空鍍膜成型，所述非導(dǎo)金屬增亮層及保護層在第二真空環(huán)境下真空鍍膜成型，其中，所述第一真空環(huán)境為充入氧氣和惰性氣體的真空環(huán)境，所述第二真空環(huán)境為充入惰性氣體且不含氧氣的真空環(huán)境。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有如權(quán)利要求1至9中任一項所述的電子設(shè)備外殼。
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