[發(fā)明專利]共柵極比較器和熔斷器讀取器

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010986317.2
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112532217A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設計）人: H·R·薩繆爾斯;L·帕姆
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: H03K5/24
• 分類號: H03K5/24
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

本公開共柵極比較器和熔斷器讀取器?？梢允褂霉矕艠OFET從熔斷器組讀取參考信息和測試信息來確定一個或多個熔斷器的狀態(tài)。在例子中，可以使用響應控制信號的第一開關選擇性地將FET器件二極管連接，并且可以將信號存儲電容器連接到FET器件的柵極端子。當第一開關閉合并且在FET器件的源極節(jié)點處施加第一輸入信號時，電容器可以存儲有關參考信號的信息。當第一開關打開時，可以在FET器件的源極節(jié)點處施加第二輸入信號，并且在FET器件的漏極節(jié)點處的輸出信號可以表示第一輸入信號與參考信號之間的幅度關系。在示例中，第二輸入信號可以指示熔斷器的狀態(tài)。

背景技術

可編程熔斷器可用于非易失性存儲設備中，以用于長期存儲、設備標識或其他用途。在存儲設備的示例中，熔斷的熔斷器可以表示邏輯1，而完整的或未熔斷的熔斷器可以表示邏輯0(反之亦然)。在例子中，熔斷器可以具有忽略不計的電阻特性?？梢酝ㄟ^向包括熔斷器的電路提供電流來確定熔斷器的狀態(tài)，例如熔斷器是熔斷還是完整。在例子中，響應于通過熔斷器的不可忽略的電阻提供的電流而產生電壓?？梢詫㈦妷旱姆扰c閾值電壓進行比較，以確定熔斷器是熔斷還是完整。

各種電路可用于設置或檢查熔斷器狀態(tài)。例如，可編程熔斷器可以連接在電源電壓VDD和FET器件的漏極端子之間。響應于在FET器件的柵極處提供的編程命令信號，FET器件可以傳導足夠大的電流的量以熔斷可編程熔斷器。第二FET器件可以與第一FET器件并聯連接。響應于在第二FET器件的柵極處提供的偏置電壓，第二FET器件可以通過可編程熔斷器傳導測試電流，并且可以測量所得的電壓。可以將所得電壓的大小與指定的閾值電壓進行比較，并且可以將比較結果用于指示熔斷器是熔斷還是完整。例如，較高的電壓信號可以對應于具有較大電阻的熔斷器，并且可以認為熔斷器被熔斷。較低的電壓信號可以對應于具有較小電阻的熔斷器，并且可以認為熔斷器是完整的。如果熔斷器的電阻特性在其整個使用壽命期間基本恒定，則該技術通常是可靠的。但是，在某些情況下，熔斷器可“再生長”，或者熔斷器的視在電阻可響應于不同的環(huán)境或其他使用條件隨時間的變化而變化。

在例子中，熔斷器狀態(tài)測量電路的特性或組件可發(fā)生變化，例如由于設備制造工藝的變化、或由于工作溫度的變化、或由于測量電路的變化或其他漂移、或提供給電路的一個或多個信號的變化。熔斷器電阻的這些和其他變化或測量電路的變化可提供有關熔斷器狀態(tài)的錯誤信息。

發(fā)明內容

本發(fā)明人已經認識到要解決的問題可以包括提供一種測量電路或比較器電路，該測量電路或比較器電路可以讀取測試信號并將該測試信號與參考信號進行比較。在例子中，問題可包括提供熔斷器讀取器或其他傳感器或信號讀取器，該器件在設備制造過程的變化以及使用過程中環(huán)境條件的變化(例如溫度變化)方面是準確的。在例子中，問題可包括在測量電路或比較器電路中使用FET器件。該問題可包括管理FET器件的特性的變化，例如，柵極-源極閾值電壓(Vgs_th)的變化或FET器件的導通電壓特性。

在例子中，要解決的問題可包括提供一種熔斷器讀取器，該熔斷器讀取器被配置為使用FET器件以最小的電流讀取有關一個或多個熔斷器的狀態(tài)信息。熔斷器可以具有可以與參考電阻(例如，大約1kΩ的參考)進行比較的特性阻抗或電阻。在該例子中，對于小于1kΩ的電阻，可以認為是熔斷器是完整的，而對于大于1kΩ的電阻，則可以認為熔斷器是熔斷的。在例子中，可用于測量熔斷器的電流信號的大小約為16微安。因此，對于在閾值條件附近測得的電阻，所得電壓可以約為16毫伏。如果使用標準FET器件來測量所得電壓，則FET器件的導通閾值電壓可基本大于所得電壓。此外，在一些例子中，對FET器件的導通或閾值電壓的與過程和溫度有關的影響的大小可以與熔斷器的測量測試電壓大約相同。

在例子中，本主題可以為這些和其他問題提供解決方案。該解決方案可以包括在共柵極配置中使用FET器件。FET器件可以配置為測量參考信號信息，并將其與測試信號進行比較以提供測試結果。在例子中，可以配置FET器件，以便在參考信號和測試信號測量之間有效抵消FET的導通電壓，從而提供這樣的測量電路或比較器電路，該電路可在溫度變化或過程變化對測量電路的影響方面基本穩(wěn)定。