[發(fā)明專利]雙排管旋渦沉降裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010984530.X | 申請(qǐng)日: | 2020-09-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112057912B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇帥;張海艷;胡志兵;何緒鋒;朱璟;胡海詩(shī);孟立君;熊意球;張娉婷;朱凱;劉進(jìn);周春仙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 金馳能源材料有限公司;湖南長(zhǎng)遠(yuǎn)鋰科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01D21/26 | 分類號(hào): | B01D21/26;B01J19/18;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525 |
| 代理公司: | 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421 | 代理人: | 李瓊芳;肖小龍 |
| 地址: | 410000 湖南省長(zhǎng)沙*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙排管 旋渦 沉降 裝置 | ||
1.一種雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,包括合成槽和沉降槽,合成槽內(nèi)設(shè)有攪拌器及兩個(gè)側(cè)邊分別與合成槽槽壁連接的擋板,合成槽在位于擋板兩側(cè)的槽壁上分別設(shè)有第一接口和第二接口,第一接口和攪拌器位于擋板同側(cè),擋板靠近合成槽底部的邊緣可供合成槽內(nèi)溶液在擋板兩側(cè)流通,沉降槽底部為錐形底部,錐形底部的錐面上設(shè)置具有高度差的第一入口和第二入口,第一入口的設(shè)置高度高于第二入口的設(shè)置高度,第一接口、第二接口和第一入口、第二入口兩兩之間通過(guò)排管接通,沉降槽的非錐形端槽壁上設(shè)有出清管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,第一接口設(shè)置在攪拌器的攪拌高度處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,第一接口和第二接口之間具有高度差且第二接口設(shè)置在第一接口高度以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,第一接口與第一入口通過(guò)第一排管接通,第二接口與第二入口通過(guò)第二排管接通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,第一入口位于錐形底部的錐頂處,第二入口位于錐形底部的錐底處。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,第一排管和第二排管管徑不同,第一排管管徑小于第二排管管徑,第二排管管徑小于或等于第一排管管徑的三倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,錐形底部的錐角為10?~80?。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,出清管設(shè)置在沉降槽非錐形端由下至上的2/3高度至頂部之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,出清管端部連接在沉降槽槽壁上或伸入沉降槽內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙排管旋渦沉降裝置,其特征在于,沉降槽的非錐形端為圓柱端,出清管在沉降槽內(nèi)的伸入長(zhǎng)度為圓柱端半徑的0%~100%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于金馳能源材料有限公司;湖南長(zhǎng)遠(yuǎn)鋰科股份有限公司,未經(jīng)金馳能源材料有限公司;湖南長(zhǎng)遠(yuǎn)鋰科股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010984530.X/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





