[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010983893.1 | 申請日: | 2020-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN112599562A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 青木逸 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.顯示裝置,其具備:
具有薄膜晶體管的基板;
設置在所述基板上的像素陣列部;和
隔堤,其設置在所述基板上,對相鄰的第1像素及第2像素進行劃分,
所述顯示裝置的特征在于,所述隔堤由在可見光區域中具有光透過性的聚酰亞胺樹脂形成,
所述顯示裝置還具有遮蔽膜,所述遮蔽膜設置在所述隔堤的表面的一部分,由可見光區域中的光透過性比所述聚酰亞胺樹脂低的材料形成,
所述遮蔽膜具有:第1遮蔽膜和第2遮蔽膜,所述第1遮蔽膜設置在所述隔堤的所述第1像素側的錐部的至少一部分,第2遮蔽膜設置在所述隔堤的所述第2像素側的錐部的至少一部分,
所述隔堤還具有在所述第1遮蔽膜與所述第2遮蔽膜之間使光透過的透過區域。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述遮蔽膜以不與所述像素陣列部具有的下部電極電連接的方式設置。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述遮蔽膜以一個端部覆蓋俯視觀察時重疊的所述像素陣列部具有的下部電極的端部的方式設置。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述遮蔽膜以一個端部覆蓋俯視觀察時重疊的所述薄膜晶體管具有的電極的端部的方式設置。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第1遮蔽膜及所述第2遮蔽膜各自以連續的膜設置。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述透過區域為俯視觀察時與所述像素陣列部具有的下部電極不重疊的區域。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述透過區域為俯視觀察時與所述薄膜晶體管具有的電極不重疊的區域。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述透過區域在俯視觀察時與在所述基板上設置的用于使水分、氣體脫離的開口區域重疊。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述基板含有在可見光區域中具有光透過性的所述聚酰亞胺樹脂。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述聚酰亞胺樹脂在厚度為10μm時的可見光區域的光透過率為70%以上。
11.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述遮蔽膜含有具有光散射效果的金屬氧化物粒子。
12.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述遮蔽膜含有具有光散射效果的熒光體粒子。
13.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述遮蔽膜含有具有光散射效果的高介電常數超微粒子。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





