[發(fā)明專利]一種在GAAS襯底上生長(zhǎng)銦砷銻(INASSB)厚膜材料的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010983883.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN112117183A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭輝;劉欣;蔡祗首;楊濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠州市中惠宇航半導(dǎo)體新材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L31/0304;H01L31/101
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 余志軍

1.一種在GAAS襯底上生長(zhǎng)銦砷銻(INASSB)厚膜材料的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

a、取GaAs襯底放入生長(zhǎng)容器的襯底內(nèi)；

b、按照In∶Sb∶As＝1∶0.7∶0.3的摩爾比例分別計(jì)算并精確稱量熔源材料：In、Sb、InAs，然后對(duì)GaAs襯底和稱取的In、Sb、和InAs生長(zhǎng)源分別進(jìn)行清洗和腐蝕，并氮?dú)獯蹈蓚溆茫?/p>

c、將步驟b中備取的熔源材料，在外延爐中經(jīng)充分熔解并均勻混合后，放入與生長(zhǎng)容器相匹配的生長(zhǎng)源中，將生長(zhǎng)容器和生長(zhǎng)源放入液相外延系統(tǒng)的石英管中，抽真空并升溫至710-720℃后保持恒溫，而后通入流動(dòng)氫氣1.5h,進(jìn)行熔源作業(yè)；

d、熔源結(jié)束后，進(jìn)行降溫生長(zhǎng)，降溫速率為1.8℃/min,降溫至620-650℃時(shí)，隨后爐溫以0.3℃/min的速率緩慢降至560-570℃時(shí)，快速拉動(dòng)裝有GaAs襯底的生長(zhǎng)容器與生長(zhǎng)源接觸：生長(zhǎng)接觸時(shí)間為5-25秒；

e、生長(zhǎng)完畢后人工將GaAs襯底拉離生長(zhǎng)源位置；爐體斷電并退出石英管，開啟電風(fēng)扇冷卻石英管在生長(zhǎng)溫度為781K-980K范圍內(nèi)和過冷度的條件下在襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)，直至外延厚膜生長(zhǎng)結(jié)束。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在GAAS襯底上生長(zhǎng)銦砷銻(INASSB)厚膜材料的方法，其特征在于，在步驟a中，所述生長(zhǎng)容器采用石墨或石英制成，所述GaAs襯底采用100取向的GaAs。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在GAAS襯底上生長(zhǎng)銦砷銻(INASSB)厚膜材料的方法，其特征在于，在步驟e中，過冷度為2K-11K。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在GAAS襯底上生長(zhǎng)銦砷銻(INASSB)厚膜材料的方法，其特征在于，在步驟c中,所述抽真空的真空度為10-20Pa。