[發(fā)明專利]一種原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010983838.2 | 申請日: | 2020-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN112322921B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李克峰;毛新華;施麒;劉辛 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東省科學(xué)院新材料研究所 |
| 主分類號: | C22C1/05 | 分類號: | C22C1/05;C22C1/10;B22F10/28;C22C19/07;C22C32/00;B22F5/00;A61C13/083;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司: | 廣州科粵專利商標(biāo)代理有限公司 44001 | 代理人: | 莫瑤江 |
| 地址: | 510000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原位 合成 氧化物 彌散 強(qiáng)化 cocrw 合金 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金的制備方法,包括以下步驟:將CoCrW合金粉末在惰性氣體氛圍中進(jìn)行激光融化處理得到原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金,氣體氛圍中的氧氣含量為200~2000ppm,CoCrW合金粉末中含有Si元素,CoCrW合金粉末中的Si元素的重量含量為0.1%~2%。本發(fā)明的制備方法通過選區(qū)激光熔化技術(shù),在CoCrW合金中原位合成球形/近球形納米氧化物彌散沉淀相,該相為非晶態(tài),因此與CoCrW合金基體的界面無晶格適配問題,界面過渡層結(jié)合緊密。本發(fā)明的原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金內(nèi)大量均勻分布有氧化物彌散沉淀相,氧化物彌散沉淀相的存在顯著提高了CoCrW合金與陶瓷的結(jié)合能力,避免了裂紋和“崩瓷”現(xiàn)象,延長了烤瓷牙使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及激光增材制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金及其制備方法。
背景技術(shù)
Co-Cr合金具有優(yōu)異的力學(xué)性能、抗腐蝕性能、耐磨性能和生物兼容性,廣泛應(yīng)用于醫(yī)療器械領(lǐng)域,尤其是牙科修復(fù)體。傳統(tǒng)CoCr合金牙科修復(fù)體生產(chǎn)技術(shù)主要是熔模鑄造技術(shù)和切削加工技術(shù)。兩種技術(shù)各有優(yōu)缺點(diǎn):熔模鑄造技術(shù)部分流程需要人工完成,效率低,質(zhì)量不穩(wěn)定;切削加工材料浪費(fèi)、復(fù)雜形狀加工受限。隨著3D打印技術(shù)的發(fā)展,激光選區(qū)熔化技術(shù)逐漸應(yīng)用到牙科修復(fù)體生產(chǎn)中,完全克服了上述傳統(tǒng)技術(shù)的缺點(diǎn),受到市場歡迎。
不論是傳統(tǒng)技術(shù)還是3D打印技術(shù)生產(chǎn)的Co-Cr合金牙科修復(fù)體,都需要進(jìn)行“烤瓷”,即烤瓷熔附金屬全冠,是將生產(chǎn)完成的金屬修復(fù)體表面高溫貼合一層陶瓷。烤瓷牙的顏色和天然的牙齒很接近,可以起到美化口腔的效果,因而是目前臨床使用最多的全冠修復(fù)體。然而金屬與陶瓷熱膨脹系數(shù)、彈性模量等物理性質(zhì)差別較大,金-瓷結(jié)合界面長期使用會出現(xiàn)裂紋,造成“崩瓷”現(xiàn)象,甚至造成對頜牙的磨損。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處而提供一種原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金及其制備方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:一種原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:
(1)將CoCrW合金粉末在惰性氣體氛圍中進(jìn)行激光融化處理得到原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金,所述惰性氣體氛圍中的氧氣含量為200~2000ppm,所述CoCrW合金粉末中含有Si元素,所述CoCrW合金粉末中的Si元素的重量含量為0.1%~2%。
上述原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金的制備方法通過選區(qū)激光熔化技術(shù),在CoCrW合金中原位合成球形/近球形納米氧化物彌散沉淀相,該相為非晶態(tài),因此與CoCrW合金基體的界面無晶格適配問題,界面過渡層結(jié)合緊密,由于上述制備方法獲得的原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金內(nèi)大量均勻分布有氧化物彌散沉淀相,將陶瓷熔附原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金(烤瓷)過程中,由于氧化物彌散沉淀相的存在將顯著提高原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金與陶瓷的結(jié)合能力,避免了裂紋和“崩瓷”現(xiàn)象,延長了烤瓷牙使用壽命。
優(yōu)選地,所述惰性氣體氛圍中的氧氣含量為1000~2000ppm。
發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)惰性氣體氛圍中的氧氣含量為1000~2000ppm時,制備獲得的原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金中的氧化物彌散沉淀相密度更大,彌散沉淀相的粒度更均勻,使得原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金的結(jié)合能力與陶瓷的結(jié)合能力更強(qiáng)。
優(yōu)選地,所述惰性氣體氛圍中的氧氣含量為1500~1800ppm。
發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)惰性氣體氛圍中的氧氣含量為1500~2000ppm時,制備獲得的原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金中的氧化物彌散沉淀相密度更大,彌散沉淀相的粒度更均勻,使得原位合成氧化物彌散強(qiáng)化CoCrW合金的結(jié)合能力與陶瓷的結(jié)合能力更強(qiáng)。
優(yōu)選地,所述CoCrW合金粉末中的Si元素的重量含量為1%~1.5%。
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