[發明專利]顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010983416.5 | 申請日: | 2020-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN112103318B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | 許曉偉;劉強 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/302;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板具有第一顯示區、第二顯示區和過渡顯示區,所述過渡顯示區位于所述第一顯示區和所述第二顯示區之間,所述第一顯示區的透光率大于所述第二顯示區的透光率,所述顯示面板包括:
襯底;
像素定義層,位于所述襯底上,所述像素定義層包括隔離結構及由所述隔離結構圍合形成的像素開口;
成核抑制層,位于所述像素定義層背離所述襯底的一側,所述成核抑制層包括第一抑制單元,所述第一抑制單元在所述像素定義層上的第一正投影覆蓋所述過渡顯示區的所述像素開口;
公共電極,位于所述像素定義層背離所述襯底的一側,所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極,所述第二公共電極形成于所述第二顯示區及所述過渡顯示區,且所述過渡顯示區內的所述第二公共電極位于所述第一抑制單元朝向所述像素定義層的一側,所述第一公共電極在所述像素定義層上的第二正投影覆蓋所述第一顯示區及所述過渡顯示區內除所述第一正投影以外的至少部分區域。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述成核抑制層還包括第二抑制單元,所述第二抑制單元在所述像素定義層上的第三正投影覆蓋位于所述過渡顯示區的至少部分所述隔離結構,所述第二正投影覆蓋所述像素定義層上除所述第一正投影和所述第三正投影以外的至少部分區域。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,至少部分所述第一公共電極和所述第二公共電極在所述過渡顯示區內層疊設置。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一公共電極位于所述第二公共電極背離所述像素定義層的一側。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
至少部分所述第二抑制單元與所述過渡顯示區的所述第二公共電極層疊設置,且所述的第二公共電極位于所述第二抑制單元朝向所述像素定義層的一側。
6.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述成核抑制層還包括第三抑制單元,所述第三抑制單元在所述像素定義層上形成的第四正投影覆蓋位于所述第一顯示區的至少部分所述隔離結構,且至少部分的所述第三抑制單元相互不連續設置,所述第一顯示區的所述第二正投影覆蓋所述像素定義層上除所述第四正投影以外的至少部分區域。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第一公共電極上包括本體部和貫穿所述本體部的第一鏤空部,所述第一鏤空部形成于所述過渡顯示區,所述第一鏤空部在所述顯示面板厚度方向上的正投影覆蓋至少部分所述像素開口在所述顯示面板厚度方向上的正投影,所述第一抑制單元位于所述第一鏤空部內。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一公共電極還包括貫穿所述本體部的第二鏤空部,所述第二抑制單元位于所述第二鏤空部。
9.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一公共電極還包括貫穿所述本體部的第三鏤空部,所述第三抑制單元位于所述第三鏤空部。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一公共電極的材料包括鎂,且所述鎂的重量占比大于或等于95%。
11.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二公共電極包括鎂銀合金層。
12.根據權利要求11所述的顯示面板,其特征在于,所述鎂銀合金層的材料中,鎂和銀的重量比范圍為1/15~1/9。
13.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述過渡顯示區的最小寬度為10μm~100μm。
14.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述成核抑制層的厚度為10埃~100埃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





