[發明專利]透光顯示模組、顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202010979680.1 | 申請日: | 2020-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN112054048A | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 許曉偉 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透光 顯示 模組 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種透光顯示模組,其特征在于,包括:
襯底;
像素定義層,位于所述襯底上,所述像素定義層包括隔離結構及由所述隔離結構圍合形成的像素開口;
成核抑制層,位于所述像素定義層背離所述襯底的一側,所述成核抑制層包括多個抑制單元,所述抑制單元在所述像素定義層上的第一正投影覆蓋至少部分所述隔離結構,且至少部分的所述抑制單元相互不連續設置;
第一公共電極,位于所述像素定義層背離所述襯底的一側,且所述第一公共電極在所述像素定義層上的第二正投影覆蓋除所述第一正投影以外的至少部分區域。
2.根據權利要求1所述的透光顯示模組,其特征在于,所述第一公共電極包括本體部及貫穿所述本體部且相互間隔設置的多個鏤空部,所述鏤空部在所述透光顯示模組厚度方向上的正投影覆蓋至少部分所述隔離結構在所述厚度方向上的正投影,所述抑制單元位于所述鏤空部。
3.根據權利要求1所述的透光顯示模組,其特征在于,所述第一公共電極的材料包括鎂,且所述鎂的重量占比大于或等于95%。
4.根據權利要求1所述的透光顯示模組,其特征在于,
所述成核抑制層的厚度為10埃~100埃;
優選的,所述抑制單元的最小寬度大于或等于5μm;
優選的,所述抑制單元與所述像素開口之間的最小距離大于或等于10μm。
5.根據權利要求1所述的透光顯示模組,其特征在于,所述透光顯示模組還包括:
第一像素組,包括第一類子像素和第二類子像素,多個所述第二類子像素環繞于所述第一類子像素的周側分布;
所述抑制單元位于所述第一類子像素的周側,且所述抑制單元位于相鄰的兩個所述第二類子像素之間;
優選的,一個所述第一類子像素的周側環繞設置有四個所述第二類子像素和四個所述抑制單元;
優選的,所述第一類子像素為綠色子像素,所述第二類子像素包括紅色子像素和藍色子像素。
6.根據權利要求5所述的透光顯示模組,其特征在于,
所述像素開口包括第一像素開口和第二像素開口;
所述第一類子像素包括第一發光結構和第一像素電極,所述第一發光結構位于所述第一像素開口,且所述第一發光結構位于所述第一公共電極朝向所述襯底的一側,所述第一像素電極位于所述第一發光結構朝向所述襯底的一側;
所述第二類子像素包括第二發光結構和第二像素電極,所述第二發光結構位于所述第二像素開口,且所述第二發光結構位于所述第一公共電極朝向所述襯底的一側,所述第二像素電極位于所述第二發光結構的朝向所述襯底的一側;
優選地,每個所述第一發光結構在所述襯底上的正投影由一個第一圖形單元組成或由兩個以上第一圖形單元拼接組成,所述第一圖形單元包括從由圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形組成的群組中選擇的至少一個;
優選地,每個所述第一像素電極在所述襯底上的正投影由一個第二圖形單元組成或由兩個以上第二圖形單元拼接組成,所述第二圖形單元包括從由圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形組成的群組中選擇的至少一個;
優選地,每個所述第二發光結構在所述襯底上的正投影由一個第三圖形單元組成或由兩個以上第三圖形單元拼接組成,所述第三圖形單元包括從由圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形組成的群組中選擇的至少一個;
優選地,每個所述第二像素電極在所述襯底上的正投影由一個第四圖形單元組成或由兩個以上第四圖形單元拼接組成,所述第四圖形單元包括從由圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形組成的群組中選擇的至少一個。
7.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板具有第一顯示區和第二顯示區,所述第一顯示區的透光率大于所述第二顯示區的透光率,所述顯示面板包括:
權利要求1-6任一項所述的透光顯示模組,位于所述第一顯示區。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括位于所述第二顯示區的第二公共電極,所述第二公共電極包括鎂銀合金層;
優選的,所述鎂銀合金層的材料中,鎂和銀的重量比范圍為1/15~1/9。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





