[發明專利]一種半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202010979497.1 | 申請日： | 2020-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN112071803A | 公開（公告）日： | 2020-12-11 |
| 發明（設計）人： | 張棟;鄭祖輝;梁玲 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一介質層；所述第一介質層中形成有通孔；
向所述通孔中填充導體材料，以形成所述通孔中的接觸塞；
對所述接觸塞的上部拐角進行平滑處理，以擴大不同接觸塞的上部拐角之間的距離。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述接觸塞的上部拐角進行平滑處理，包括：
利用平坦化工藝對所述第一介質層和所述接觸塞進行處理，以平滑所述接觸塞的上部拐角，且使所述接觸塞凸出所述第一介質層表面；在所述平坦化工藝中，所述第一介質層的去除速率大于所述導體材料的去除速率。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述接觸塞的上部拐角進行平滑處理，包括：
利用刻蝕工藝對所述第一介質層和所述接觸塞進行處理，以平滑所述接觸塞的上部拐角；在所述刻蝕工藝中，所述第一介質層的去除速率大于所述導體材料的去除速率。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述接觸塞的上部為拱形結構。
5.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述第一介質層為氧化硅和/或氮化硅，所述接觸塞為銅或鎢。
6.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，還包括：
在所述第一介質層上形成第二介質層；所述第二介質層中形成有與所述接觸塞連接的導體結構。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述導體結構包括通孔中的導體材料和/或溝槽中的導體材料。
8.一種半導體結構，其特征在于，包括：
第一介質層；所述第一介質層中形成有通孔，所述通孔中形成有導體材料的接觸塞，所述接觸塞的上部拐角經過平滑處理，所述平滑處理用于擴大不同接觸塞的上部拐角之間的距離。
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述接觸塞的上部為拱形結構。
10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
所述第一介質層上的第二介質層，所述第二介質層中形成有與所述接觸塞連接的導體結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
