[發明專利]具有光場集中結構的半導體激光器

在審

• 申請號: 202010978427.4
• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN111987588A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 黃國忠;呂一璁
• 申請（專利權）人: 創兆光有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/343
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健

1.一種具有光場集中結構的半導體激光器，包含p面和n面電極(32)、p型包覆層(48)、p型光場集中結構(47)、p型限制層(46)、具有多量子阱可產生光子的有源層(45)、n型限制層(44)、n型光場集中結構(43)、n型包覆層(42)、包覆層(41)和襯底(31)；其特征在于：所述光場集中結構中同時包含了p型光場集中結構(47)和n型光場集中結構(43)。

2.如權利要求1所述的具有光場集中結構的半導體激光器，其特征在于：所述p型限制層(46)與n型限制層(44)能隙大于有源層(45)能隙，從而能夠抑制載流子溢流。

3.如權利要求2所述的具有光場集中結構的半導體激光器，其特征在于：所述襯底(31)是以InP構成；所述p型光場集中結構(47)由三層不同x、y比例的In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)材料構成，即p型第一層(471)、p型第二層(472)和p型第三層(473)，并通過不同摻雜形成p型光場集中結構(47)，其能隙介于0.9～1.3eV，其中p型第一層(471)、p型第三層(473)的In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)的折射率大于p型第二層(472)；所述n型光場集中結構(43)也由三層不同x、y比例的In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)材料構成，即n型第一層(431)、n型第二層(432)和n型第三層(433)，并通過不同摻雜形成n型光場集中結構(43)，其能隙介于0.9～1.3eV，其中n型第一層(431)、n型第三層(433)的In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)的折射率大于n型第二層(432)。

4.如權利要求3所述的具有光場集中結構的半導體激光器，其特征在于：所述p型光場集中結構(47)和n型光場集中結構(43)的厚度介于0.1～1μm，且所述p型限制層(46)與n型限制層(44)的厚度介于0.001～0.2μm。

5.如權利要求1-4任一項所述的具有光場集中結構的半導體激光器，其特征在于：所述p型限制層(46)與n型限制層(44)是以AlInAs材料構成的。

6.如權利要求5所述的具有光場集中結構的半導體激光器，其特征在于：所述有源層(45)的多量子阱包括5～8對壓縮型應變量子阱，且其發光波長為1.1～1.6μm。