[發(fā)明專利]具有側(cè)面發(fā)射電磁輻射源的光耦合器

在審

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• 申請日: 2020-09-17
• 公開（公告）號: CN112532232A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·羅特
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/14
• 分類號: H03K19/14;H01L31/167
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種光耦合器(100)，所述光耦合器(100)包括：

側(cè)面發(fā)射電磁輻射源(102)，所述側(cè)面發(fā)射電磁輻射源(102)用于在其側(cè)壁(104)處發(fā)射電磁輻射；以及

電磁輻射檢測器(106)，所述電磁輻射檢測器(106)用于檢測所發(fā)射的電磁輻射的至少一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器(100)，其中，所述電磁輻射源(102)是激光二極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光耦合器(100)，其中，所述電磁輻射檢測器(106)是光電二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，其中，所述電磁輻射源(102)和所述電磁輻射檢測器(106)彼此電解耦。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，其中，所述電磁輻射源(102)被配置為用于基本上僅在其側(cè)壁(104)處發(fā)射電磁輻射。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，其中，所述電磁輻射檢測器(106)被配置為用于在其主表面(108)之一處檢測電磁輻射，特別是基本上僅在其主表面(108)之一處檢測電磁輻射，更特別地僅在其上主表面(108)處檢測電磁輻射。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，包括控制單元(110)，所述控制單元(110)與所述電磁輻射檢測器(106)耦合，并且被配置為用于基于所檢測到的電磁輻射來執(zhí)行控制任務(wù)，特別是執(zhí)行開關(guān)任務(wù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，包括光學(xué)透明的包封體(112)，特別是包括透明凝膠，所述電磁輻射源(102)的至少一部分和所述電磁輻射檢測器(106)的至少一部分嵌入所述光學(xué)透明的包封體(112)中，特別是嵌入所述透明凝膠中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，包括殼體(130)，所述殼體(130)包圍所述電磁輻射源(102)的至少一部分和所述電磁輻射檢測器(106)的至少一部分，并且具有反射內(nèi)表面(114)，所述反射內(nèi)表面(114)被配置為用于反射由所述電磁輻射源(102)發(fā)射的電磁輻射的至少一部分，特別是用于全反射由所述電磁輻射源(102)發(fā)射的電磁輻射，其中，所述反射內(nèi)表面(114)特別被配置為用于將所述電磁輻射的至少一部分反射和引導(dǎo)到所述電磁輻射檢測器(106)上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，包括以下特征中的至少一個：

其中，所述電磁輻射源(102)被配置為用于發(fā)射紅光，特別是僅發(fā)射紅光；

所述光耦合器(100)被配置作為繼電器，特別是固態(tài)繼電器；

其中，所述電磁輻射源(102)被配置為用于在其側(cè)壁(104)處圍繞垂直于所述側(cè)壁(104)的軸線在不大于45°、特別是不大于30°的角度范圍(α)內(nèi)發(fā)射所發(fā)射的電磁輻射的強(qiáng)度的至少60％、特別是至少80％；

其中，所述側(cè)面發(fā)射電磁輻射源(102)被配置為用于發(fā)射基本上單色的電磁輻射，并且所述電磁輻射檢測器(106)被配置為用于基本上僅在所發(fā)射的所述基本上單色的電磁輻射的波長周圍的窄波長帶內(nèi)進(jìn)行檢測；

其中，所述側(cè)面發(fā)射電磁輻射源(102)和所述電磁輻射檢測器(106)并排布置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的光耦合器(100)，包括其上安裝有所述電磁輻射源(102)的源載體(116)，并且包括其上安裝有所述電磁輻射檢測器(106)的檢測器載體(118)。