[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有多種控制功能的MOS器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010977338.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112289787A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 文理祥;劉萍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京通華芯微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 常州品益專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32401
• 代理人: 侯慧娜

1.一種具有多種控制功能的MOS器件，其特征在于：包括集成于同一襯底基片上的主功率MOS器件(M0)、啟動(dòng)MOS器件(M1)、電阻(R1)、第一二極管(ZD1)、第二二極管(ZD2)和第三二極管(DX)；

所述主功率MOS器件(M0)和所述啟動(dòng)MOS器件(M1)共漏極連接、并引出共有漏極作為所述具有多種控制功能的MOS器件的漏電極(D)，所述主功率MOS器件(M0)的柵極引出作為所述具有多種控制功能的MOS器件的第一柵電極(G1)，所述主功率MOS器件(M0)的源極引出作為所述具有多種控制功能的MOS器件的第一源電極(S1)，所述啟動(dòng)MOS器件(M1)的柵極引出作為所述具有多種控制功能的MOS器件的第二柵電極(G2)，所述啟動(dòng)MOS器件(M1)的源極連接所述第三二極管(DX)的P端，所述第三二極管(DX)的N端引出作為所述具有多種控制功能的MOS器件的第二源電極(S2)；

所述漏電極(D)和所述第二柵電極(G2)之間串聯(lián)有所述電阻(R1)、所述第一二極管(ZD1)和所述第二二極管(ZD2)，所述第一二極管(ZD1)和所述第二二極管(ZD2)共陰端連接或者共陽(yáng)端連接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種具有多種控制功能的MOS器件，其特征在于：所述具有多種控制功能的MOS器件的結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜襯底(1)、第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜漂移區(qū)(2)、多個(gè)第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體基區(qū)(3)、第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜源區(qū)(4)、第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜接觸區(qū)(5)、柵介質(zhì)層(6)、漏極區(qū)域(9)、第一源極區(qū)域(10)、第二源極區(qū)域(11)、第一柵極區(qū)域(12)、第二柵極區(qū)域(13)和絕緣層(7)；

所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜漂移區(qū)(2)位于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜襯底(1)的正面，所述漏極區(qū)域(9)位于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜襯底(1)的背面并引出所述漏電極(D)；所述多個(gè)第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體基區(qū)(3)位于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜漂移區(qū)(2)內(nèi)，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體基區(qū)(3)內(nèi)有所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜源區(qū)(4)和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜接觸區(qū)(5)、并形成有PN結(jié)，所述第一源極區(qū)域(10)和所述第二源極區(qū)域(11)均與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜源區(qū)(4)和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜接觸區(qū)(5)相接觸，所述第一源極區(qū)域(10)引出所述第一源電極(S1)，所述第二源極區(qū)域(11)電性連接所述第三二極管(DX)的P端，所述第三二極管(DX)的N端引出所述第二源電極(S2)；所述柵介質(zhì)層(6)位于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體基區(qū)(3)和第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜漂移區(qū)(2)的上表面，所述第一柵極區(qū)域(12)和所述第二柵極區(qū)域(13)均位于所述柵介質(zhì)層(6)的上表面；所述第一柵極區(qū)域(12)引出所述第一柵電極(G1)，所述第二柵極區(qū)域(13)引出所述第二柵電極(G2)；所述絕緣層(7)位于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體摻雜漂移區(qū)(2)的上表面。

3.如權(quán)利要求2所述的一種具有多種控制功能的MOS器件，其特征在于：所述主功率MOS器件(M0)和所述啟動(dòng)MOS器件(M1)通過(guò)工藝隔離的方法制作在同一襯底上，所述電阻(R1)、第一二極管(ZD1)、第二二極管(ZD2)和第三二極管(DX)制作于所述具有多種控制功能的MOS器件表面的絕緣層(7)上。

4.如權(quán)利要求3所述的一種具有多種控制功能的MOS器件，其特征在于：所述第一源極區(qū)域(10)和所述第一柵極區(qū)域(12)填充有絕緣介質(zhì)層，所述第二源極區(qū)域(11)和所述第二柵極區(qū)域(13)填充有絕緣介質(zhì)層。

5.如權(quán)利要求4所述的一種具有多種控制功能的MOS器件，其特征在于：當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體為N型半導(dǎo)體，第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體為P型半導(dǎo)體時(shí)，所述具有多種控制功能的MOS器件為N溝道MOS器件。

6.如權(quán)利要求4所述的一種具有多種控制功能的MOS器件，其特征在于：當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體為P型半導(dǎo)體，第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體為N型半導(dǎo)體時(shí)，所述具有多種控制功能的MOS器件為P溝道MOS器件。