[發明專利]一種極化可重構的渦旋多波束超表面卡塞格倫天線有效
| 申請號: | 202010977256.3 | 申請日: | 2020-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN111987473B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 楊銳;高鳴 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01Q15/14 | 分類號: | H01Q15/14;H01Q15/24;H01Q1/12;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人: | 田文英;王品華 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 極化 可重構 渦旋 波束 表面 卡塞格倫 天線 | ||
1.一種極化可重構的渦旋多波束超表面卡塞格倫天線,包括各向異性超表面主反射鏡(1)、有源超表面副反射鏡(2)、支撐結構(3)和固定在各向異性超表面主反射鏡(1)中心位置的饋源(4),其特征在于,有源超表面副反射鏡(2)和各向異性超表面主反射鏡(1)平行設置在支撐結構(3)兩端,有源超表面副反射鏡(2)的中心法線與各向異性超表面主反射鏡(1)的中心法線重合,饋源(4)的相位中心與有源超表面副反射鏡(2)的焦點重合;所述各向異性超表面主反射鏡(1)采用由M行N列個均勻排布的各向異性單元(11)組成的平面陣結構,M≥12,N≥12;每個各向異性單元包括第一介質層(111)、印制在第一介質層(111)一個側面的正交環貼片(112)和另一個側面的金屬地板(113);每個正交環貼片(112)包括主極化矩形環(1121)和交叉極化矩形環(1122),主極化矩形環(1121)和交叉極化矩形環(1122)分別沿各向異性單元(11)兩條相互垂直的邊分布,主極化矩形環(1121)和交叉極化矩形環(1122)的中心均與各向異性單元(11)上表面中心重合,主極化矩形環(1121)和交叉極化矩形環(1122)能夠分別針對主極化波和交叉極化波進行獨立調制;通過計算每個主極化矩形環(1121)和交叉極化矩形環(1122)的相位補償值后,再經過仿真實驗得到每個各向異性單元(11)中主極化矩形環(1121)和交叉極化矩形環(1122)相位值相對應的尺寸;所述有源超表面副反射鏡(2)采用由P×Q個相同的極化轉化單元(21)組成的平面陣結構,P≥4,Q≥4,每個極化轉化單元(21)包括第二介質層(211)、貼片結構(212)、兩條金屬帶線(213)、兩根金屬柱(214)、第三介質層(215)和金屬層(216);所述第二介質層(211)上表面印制貼片結構(212),下表面印制金屬帶線(213);所述貼片結構(212)包括矩形金屬斜環(2121)和變容二極管(2122),矩形金屬斜環(2121)沿第二介質層(211)上表面的主對角線分布,電容值可變的變容二極管(2122)嵌入矩形金屬斜環(2121)的兩條長邊中間的開口處,所述有源超表面副反射鏡(2)在變容二極管(2122)的V1偏置電壓狀態產生右旋圓極化波,V2偏置電壓狀態產生左旋圓極化波;所述金屬帶線(213)與極化轉化單元(21)的一邊平行,兩條金屬帶線(213)通過兩條金屬柱(214)分別與矩形金屬斜環(2121)的兩個短邊相連;所述第三介質層(215)下表面印制金屬層(216)。
2.根據權利要求1所述一種極化可重構的渦旋多波束超表面卡塞格倫天線,其各向異性超表面主反射鏡(1)相位補償值的公式如下:
其中,以uvw為坐標軸建立空間直角坐標系,u代表主極化方向,v代表交叉極化方向,坐標軸u和坐標軸v組成的平面平行于各向異性超表面主反射鏡(1)的上表面,坐標軸w垂直于坐標軸u和坐標軸v組成的平面,表示第m行第n列各向異性單元(11)中主極化矩形環(1121)的相位補償值,表示第m行第n列各向異性單元(11)中交叉極化矩形環(1122)的相位補償值,1≤m≤M,1≤n≤N,k0表示自由空間中電磁波的波數,| |表示求絕對值操作,表示第m行第n列各向異性單元(11)的中心坐標,表示各向異性超表面主反射鏡(1)的焦點坐標,Arg表示求角度操作,∑表示求和操作,N表示渦旋多波束超表面天線產生的渦旋波束總數,N≥2,exp表示以自然對數e為底的指數操作,j表示虛數單位符號,lp表示渦旋多波束超表面天線產生的第p個波束的模態值,表示第m行第n列各向異性單元(11)的方位角度,表示渦旋多波束超表面天線產生的第p個波束的指向,θp表示渦旋多波束超表面天線產生的第p個波束的俯仰角,表示渦旋多波束超表面天線產生的第p個波束的方位角,表示渦旋多波束超表面天線產生的第p個波束主極化方向的初始相位,表示渦旋多波束超表面天線產生的第p個波束交叉極化方向的初始相位。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學,未經西安電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010977256.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





