[發明專利]基于薄膜體聲波諧振器的磁場傳感器及制備方法

在審

• 申請號: 202010975435.3
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN111965572A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 韋一;柏沁園;唐瑩;王玉龍
• 申請（專利權）人: 中國計量大學
• 主分類號: G01R33/10
• 分類號: G01R33/10;G01R33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.基于薄膜體聲波諧振器的磁場傳感器，其特征在：整體結構從下至上包括硅襯底、絕緣支撐層、下電極、壓電層、上電極以及上電極兩側的絕緣體塊；所述上電極采用具有磁致伸縮效應的材料，便于隨磁場大小發生變化；所述硅襯底上刻蝕形成空氣腔并在上方沉積絕緣支撐層(二氧化硅)作為聲波反射層。

2.根據權利要求1所述的基于薄膜體聲波諧振器的磁場傳感器，其特征在于：所述下電極使用金屬鉬或者鋁材料，所述上電極使用具有磁致伸縮效應的金屬鎳材料，其厚度為0.1um-0.2um。

3.根據權利要求1所述的基于薄膜體聲波諧振器的磁場傳感器，其特征在于：所述壓電層使用具有壓電效應的氧化鋅材料，其厚度為1um-3um。

4.根據權利要求1所述的基于薄膜體聲波諧振器的磁場傳感器，其特征在于：所述上電極兩側的絕緣體塊使用二氧化硅材料，其厚度為0.1-0.5um。

5.根據權利要求1所述的基于薄膜體聲波諧振器的磁場傳感器的制備方法，步驟如下：首先在硅襯底上表面刻蝕形成深度5um-20um的空氣腔，并在硅襯底上表面熱生長一層絕緣二氧化硅作為支撐層，接著采用直流磁控濺射方法沉積金屬鉬作為下電極，隨后采用溶膠-凝膠工藝在下電極上生長氧化鋅壓電層，然后在壓電層上采用電子蒸發束法沉積上磁致伸縮性材料金屬鎳作為上電極，最后在上電極兩側熱生長形成絕緣二氧化硅材料塊。