[發(fā)明專利]一種由ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010974752.3 | 申請日： | 2020-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN112079627A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 文宏福;李鵬;葉俊峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 韶關(guān)市歐萊高新材料有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/01 | 分類號： | C04B35/01;C04B35/457;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人： | 羅曉林 |
| 地址： | 512000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 ito 直接 粉碎 制粉 生產(chǎn) 制備 方法 | ||
1.一種由ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、將廢靶材進(jìn)行預(yù)處理得到預(yù)處理廢靶材料；
S2、將步驟S1得到的預(yù)處理廢靶材料依次進(jìn)行粗碎、中碎、粉碎得到廢靶材粉末；其中，粗碎至粒徑低于5mm；中碎至粒徑低于1mm，粉碎至粒徑低于200目；
S3、將廢靶材粉末在500-1000℃下煅燒得到ITO回收粉；
S4、將ITO回收粉成型得到ITO生坯，ITO生坯在常壓純氧氣氛條件下進(jìn)行燒結(jié)得到ITO靶材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S1中，廢靶材為濺射鍍膜后產(chǎn)生的ITO殘靶和/或ITO靶材生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的邊角料和不良品。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S1中，預(yù)處理具體包括：打磨、清洗和酸泡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S3中，ITO回收粉的粒徑D50為0.2-2.5μm，比表面積為2-8m2/g，純度為99.99％及以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S4中，ITO生坯原料中還可加入氧化銦粉末和/或氧化錫粉末。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S4中，氧化銦粉末和氧化錫粉末的粒徑D50為0.2-2.5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S4中，采用注漿成型工藝或壓力成型工藝進(jìn)行成型。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S4所得ITO靶材的純度大于99.99％，相對密度大于99.7％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的ITO廢靶直接粉碎制粉并生產(chǎn)ITO靶材的制備方法，其特征在于，步驟S4中，燒結(jié)溫度為1550-1600℃，燒結(jié)時間為12-18h。
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