[發(fā)明專利]存儲(chǔ)設(shè)備及其操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010971671.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN112540722A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.帕瓦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G06F3/06
• 分類號(hào): G06F3/06;G06F12/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邵亞麗

一種包括一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)設(shè)備的操作方法，包括：將參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的第一存儲(chǔ)器區(qū)域中；當(dāng)參考數(shù)據(jù)的訪問頻率超過(guò)第一參考值時(shí)，將與參考數(shù)據(jù)相同的第一復(fù)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的第二存儲(chǔ)器區(qū)域中；在第一復(fù)制數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)之后，當(dāng)參考數(shù)據(jù)或第一復(fù)制數(shù)據(jù)的訪問頻率超過(guò)第一參考值時(shí)，將與參考數(shù)據(jù)相同的第二復(fù)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的第三存儲(chǔ)器區(qū)域中；以及，管理第二和第三存儲(chǔ)器區(qū)域的第二和第三物理地址，使得第一存儲(chǔ)器區(qū)域的第一物理地址對(duì)應(yīng)于第二和第三物理地址。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2019年9月23日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2019-0116814號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開的內(nèi)容通過(guò)引用整體并入本申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本文公開的發(fā)明構(gòu)思的各種示例實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備，更具體地涉及一種用于管理存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備及其操作方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)設(shè)備是指在諸如計(jì)算機(jī)、智能電話、智能平板等的主機(jī)設(shè)備的控制下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備。存儲(chǔ)設(shè)備包括將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁盤(例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器(hard disk drive，HDD))上的設(shè)備；或者將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，尤其是非易失性存儲(chǔ)器(例如，固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(solid state drive，SSD)或存儲(chǔ)卡)中的設(shè)備。

非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括只讀存儲(chǔ)器(read only memory，ROM)、可編程ROM(programmable ROM，PROM)、電可編程ROM(electrically programmable ROM，EPROM)、電可擦除可編程ROM(electrically erasable and programmable ROM，EEPROM)、閃存、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(phase-change random access memory，PRAM)、磁性RAM(magnetic RAM，MRAM)、阻變RAM(resistive RAM，RRAM)、鐵電RAM(ferroelectric RAM，F(xiàn)RAM)等。

為了在容量有限的存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)設(shè)備執(zhí)行數(shù)據(jù)去重(deduplication)。通過(guò)去重，存儲(chǔ)設(shè)備可以存儲(chǔ)具有相同值的多個(gè)數(shù)據(jù)中的僅一個(gè)或多個(gè)。這樣，要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中的數(shù)據(jù)量可以減少。然而，在通過(guò)去重將多個(gè)數(shù)據(jù)中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中的情況下，可能會(huì)頻繁地訪問所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在這種情況下，存儲(chǔ)設(shè)備的性能和可靠性可能會(huì)下降。因此，需要在提高存儲(chǔ)設(shè)備的性能的同時(shí)確保存儲(chǔ)設(shè)備的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的各種示例實(shí)施例提供了即使執(zhí)行去重也能夠確保頻繁訪問的數(shù)據(jù)的可靠性的存儲(chǔ)設(shè)備。

根據(jù)示例性實(shí)施例，一種包括一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)設(shè)備的操作方法包括：將參考數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的第一存儲(chǔ)器區(qū)域中；當(dāng)參考數(shù)據(jù)的訪問頻率超過(guò)第一參考值時(shí)，將與參考數(shù)據(jù)相同的第一復(fù)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在該一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的第二存儲(chǔ)器區(qū)域中；在第一復(fù)制數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)之后，當(dāng)參考數(shù)據(jù)或第一復(fù)制數(shù)據(jù)的訪問頻率超過(guò)第一參考值時(shí)，將與參考數(shù)據(jù)相同的第二復(fù)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在該一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器的第三存儲(chǔ)器區(qū)域中；以及，隨著第一復(fù)制數(shù)據(jù)和第二復(fù)制數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在該一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器中，管理第二存儲(chǔ)器區(qū)域的第二物理地址和第三存儲(chǔ)器區(qū)域的第三物理地址，使得第一存儲(chǔ)器區(qū)域的第一物理地址對(duì)應(yīng)于第二物理地址和第三物理地址。