[發明專利]紫外發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 202010970745.6
• 申請日: 2020-09-16
• 公開（公告）號: CN112289900B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 劉旺平;梅勁;張武斌;劉春楊
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種紫外發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述紫外發光二極管外延片的制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長緩沖層，所述緩沖層包括交替生長的AlGaN子層與SiN子層；

在所述緩沖層上生長n型AlGaN層；

在所述n型AlGaN層上生長GaN/AlGaN多量子阱層；

在所述GaN/AlGaN多量子阱層上生長p型AlGaN層；

所述在所述襯底上生長緩沖層，包括：

向反應腔內通入Ga源、Al源及N源，生長所述AlGaN子層直至所述AlGaN子層的表面平整；

向反應腔內通入Si源及N源，生長所述SiN子層直至所述SiN子層的表面存在自然凹坑；

重復以上步驟在所述襯底上得到緩沖層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上生長緩沖層，包括：

所述緩沖層的生長溫度為1100-1200℃。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底，所述紫外發光二極管外延片的制備方法還包括：

在所述襯底上生長所述緩沖層之前，對所述襯底進行表面清理；

將表面清理后的襯底放置在600～1000℃的氮氣環境中處理，直至所述藍寶石襯底表面的部分氧原子被氮原子取代。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，將表面清理后的襯底放置在600～1000℃的氮氣環境中處理1h～1.5h。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所 述襯底在壓力為0～1torr的氮氣環境中進行處理。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底，所述襯底的表面層疊所述緩沖層中的AlGaN子層。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiN子層的厚度為1～2nm，所述AlGaN子層的厚度為5～10nm。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度為30～300nm。