[發明專利]顯示基板及其制備方法有效
| 申請號: | 202010970601.0 | 申請日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN112201675B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 夏曾強;周小康;胡小敘;艾經偉;王虎 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 南京科知維創知識產權代理有限責任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示基板,包括基板和設置于所述基板一側的像素定義層,所述像素定義層包括像素定義區域和像素區域,其特征在于,所述顯示基板還包括:
分離層,所述分離層形成于所述像素定義區域遠離所述基板的一側上;以及
載流子功能層,所述載流子功能層形成于所述分離層遠離所述像素定義層一側表面上;
其中,所述分離層使得所述載流子功能層在所述像素定義區域和所述像素區域遠離所述基板的一側表面上形成不連續的圖案結構;進而斷開相鄰像素間所述載流子功能層中的載流子橫向傳輸。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述分離層的材料為選自含有3個碳原子以上的烷基鏈的含氟取代物、3個硅原子以上的硅烷鏈的含氟取代物或者前述兩者形成的混合物。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述像素定義區域遠離所述基板的一側表面上包括第一凸起和第二凸起,所述第一凸起和所述第二凸起間隔設置,所述第一凸起和所述第二凸起之間具有第一凹部。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述第一凹部沿垂直于所述顯示基板方向的深度為0.1μm至0.5μm。
5.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述第一凹部沿垂直于所述顯示基板方向的截面形狀包括,U形、矩形、V形、正梯形和倒梯形中的至少一種。
6.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述第一凸起和所述第二凸起分別圍繞所述像素區域設置,所述第一凹部為圍繞所述像素區域設置的凹槽。
7.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述像素定義區域遠離所述基板的一側表面上還包括至少一個第三凸起,所述至少一個第三凸起設置于所述第一凹部中,其中,每一第三凸起遠離所述基板的第三凸起面高于所述第一凸起遠離所述基板的第一凸起面,且所述第三凸起面高于所述第二凸起遠離所述基板的第二凸起面。
8.一種顯示基板的制備方法,所述顯示基板包括基板和設置于所述基板一側的像素定義層,其特征在于,所述顯示基板的制備方法包括:
S1、圖案化像素定義層,形成多個像素區域和多個像素定義區域,多個像素區域為多個開孔,每一像素定義區域設置于任意相鄰的像素區域之間;
S2、提供分離層溶液,將所述像素定義區域浸入所述分離層溶液中,所述像素定義區域浸入到所述分離層溶液的液面下的深度為0.1μm ~1μm;以及
S3、翻轉S2中的顯示基板,真空干燥所述分離層溶液,于所述像素定義區域遠離所述基板的一側表面上形成分離層;以及
S4、將載流子功能層形成至所述像素定義層遠離所述基板的一側表面上;
其中,所述分離層使得所述載流子功能層在所述像素定義區域和所述像素區域遠離所述基板的一側表面上形成不連續的圖案結構;進而斷開相鄰像素間所述載流子功能層中的載流子橫向傳輸。
9.根據權利要求8所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,
所述S1中還包括:
S11:圖案化所述像素定義區域,形成間隔設置的第一凸起和第二凸起;
所述S2中還包括:
S21:將所述第一凸起和所述第二凸起浸入所述分離層溶液中,所述第一凸起和所述第二凸起浸入到所述分離層溶液的液面下的深度為0.1μm ~1μm;
其中,所述第一凸起和所述第二凸起之間包括第一凹部。
10.根據權利要求8所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,
所述S1中還包括:
S12:圖案化所述像素定義區域,形成間隔設置的第一凸起、第二凸起和至少一個第三凸起,每一第三凸起遠離基板的第三凸起面高于所述第一凸起遠離基板的第一凸起面和所述第二凸起遠離基板的第二凸起面;
所述S2中還包括:
S22:將所述第三凸起浸入所述分離層溶液中,所述第三凸起浸入到所述分離層溶液的液面下的深度為0.1μm ~1μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





