[發(fā)明專利]暗場(chǎng)檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010970259.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112098421B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李運(yùn)鋒;李潤(rùn)芝;王婷婷;于大維 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88 |
| 代理公司: | 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 暗場(chǎng) 檢測(cè) 裝置 | ||
1.一種暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:
照明模塊,用于提供光源;
光路整形模塊,包括用于在晶片上形成重疊的線形照明光斑的多個(gè)分支光路;每一所述分支光路均用于以一定的入射角度照射所述晶片,所述多個(gè)分支光路形成環(huán)形照射;每一所述分支光路均包括勻光結(jié)構(gòu)和臨界照明結(jié)構(gòu),所述光源提供的照射光依次經(jīng)所述勻光結(jié)構(gòu)和臨界照明結(jié)構(gòu)照射至所述晶片上;
物鏡,用于收集來自所述晶片的散射光;以及
成像傳感器,用于接收所述物鏡輸出的信號(hào)光;
所述勻光結(jié)構(gòu)為反射式勻光腔結(jié)構(gòu),所述勻光結(jié)構(gòu)包括入射光端面、勻光腔體和出射光端面,所述勻光結(jié)構(gòu)的勻光腔體包括四個(gè)反射面,所述勻光腔體由所述四個(gè)反射面圍成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述入射角度為60°~85°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述勻光結(jié)構(gòu)的出射光端面為平行四邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述照明模塊包括:
光源;以及
用于接收所述光源的光導(dǎo),所述光導(dǎo)的輸出端包括多個(gè)分端端口,每一所述分端端口均用于向與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的分支光路提供照射光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述分端端口的出光端面為長(zhǎng)方形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述勻光結(jié)構(gòu)的出射光端面與所述勻光結(jié)構(gòu)的出射光軸之間相垂直或具有大于0°且小于90°的夾角。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述臨界照明結(jié)構(gòu)為遠(yuǎn)心照明。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的暗場(chǎng)檢測(cè)裝置,其特征在于,所述分支光路的個(gè)數(shù)為6個(gè)、8個(gè)、12個(gè)或16個(gè)。
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- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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