[發明專利]一種硅基底制備方法及太陽能電池

在審

• 申請號: 202010969860.1
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN114188436A
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 潘強強;劉勇;樸松源;王洪喆;王路;李家棟
• 申請（專利權）人: 一道新能源科技（衢州）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種硅基底制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅片的正面沉積形成第一磷源層；

在第一預設溫度下，將所述第一磷源層推進所述硅片，在所述硅片中形成第一預設深度的磷濃度分布層；

在硅片的正面沉積第二磷源層，以使所述第二磷源層在沉積的過程中向所述磷濃度分布層內擴散至第二預設深度，形成硅基底，所述第二預設深度小于所述第一預設深度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片的正面沉積第二磷源層，以使所述第二磷源層在沉積的過程中向所述磷濃度分布層內擴散至第二預設深度，形成硅基底之后，還包括：

在所述第一預設溫度下，對所述硅基底的正面進行氧化形成第一氧化層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一預設溫度下，對所述硅基底的正面進行氧化形成第一氧化層之后，還包括：

在第二預設溫度下，對所述硅基底的正面進行氧化形成第二氧化層，所述第二預設溫度小于所述第一預設溫度。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在第二預設溫度下，對所述硅基底的正面進行氧化形成第二氧化層之前，還包括：

在所述第二預設溫度下，在所述硅基底的正面沉積第三磷源層，以使所述第三磷源層向所述第一氧化層內擴散。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片的正面沉積形成第一磷源層之前，還包括：

在第二預設溫度下，對所述硅片的表面進行氧化，獲得第三氧化層；

所述在硅片的表面上沉積形成第一磷源層包括：

在所述第二預設溫度下，在所述硅片的第三氧化層上沉積形成所述第一磷源層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片包括單晶硅片、多晶硅片、微晶硅片、納米晶硅片或非晶硅片中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預設溫度為800℃至900℃中的至少一個。

8.根據權利要求3至5任一項所述的方法，其特征在于，所述第二預設溫度為700℃至850℃中的至少一個。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預設深度為200納米～400納米之間的任意數值；

所述第二預設深度小于50納米。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括如權利要求1至9任一項所述的硅基底制備方法制備得到的硅基底。