[發明專利]極紫外線微影遮罩和其制造方法

在審

• 申請號: 202010969692.6
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN113589640A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 薛文章;李信昌;連大成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種極紫外線微影遮罩和其制造方法，制造極紫外線微影遮罩的方法包括形成多層反射層、在多層反射層上形成緩沖層，以及在多層反射層上形成吸收層。在圖案化吸收層之前，移除吸收層的外部部分。接著沉積光阻層在吸收層的頂表面上及吸收層的側壁上。接著圖案化光阻層，且在圖案化光阻層的存在下，以電漿蝕刻制程蝕刻吸收層。在電漿蝕刻制程期間，在吸收層側壁上的光阻層有助于改良蝕刻吸收層的均勻性。

技術領域

本公開是關于微影領域。更具體而言，本公開是關于形成用于微影制程的遮罩。

背景技術

半導體集成電路工業已經歷了指數型成長。集成電路材料及設計的技術進步已產生多代集成電路，其中每一代具有比前一代更小且更加復雜的電路。在集成電路演進的過程中，每晶片面積的互連裝置數量普遍上已增加，而可使用制造制程形成的最小組件尺寸已變小。

這種等比例縮小的制程通常通過提高生產效率并降低相關成本來提供益處。這樣的等比例縮小亦增加了集成電路處理及制造的復雜性。為了實現這些進步，需要類似于集成電路處理及制造中的演變。例如，執行更高解析度微影制程的需求增長。

極紫外線微影是一種微影制程，其采用的掃描儀使用在極紫外線區域中具有波長約1納米至20納米的光。極紫外線掃描儀在形成于吸收層上提供預期的圖案，其中吸收層形成在反射遮罩上。使用吸收層的圖案來形成基于圖案的特征在半導體晶圓上。

發明內容

根據本公開的一些實施例，提供一種極紫外線微影遮罩，包括基板、多層反射層、緩沖層及吸收層，多層反射層位于基板上且配置成在極紫外線微影制程期間反射紫外線輻射，緩沖層位于多層反射層上，吸收層位于緩沖層上且配置成在極紫外線微影制程期間吸收紫外光。吸收層的至少一個外圍邊緣與緩沖層的對應外圍邊緣橫向分開，使得緩沖層頂表面的周邊部分暴露在外。

根據本公開的一些實施例，提供一種制造極紫外線微影遮罩的方法，包括在基板上形成多層反射層，多層反射層配置成在極紫外線微影制程期間反射紫外線輻射。方法包括在多層反射層上形成緩沖層。方法包括在緩沖層上形成吸收層，且吸收層具有小于緩沖層橫向寬度的橫向寬度。吸收層配置成在極紫外線微影制程期間吸收紫外光。

根據本公開的一些實施例，提供一種制造極紫外線微影遮罩的方法，包括在基板上形成多層反射層，多層反射層配置成在極紫外線微影制程期間反射紫外光。方法包括在多層反射層上形成緩沖層以及在緩沖層上形成吸收層。吸收層配置成在極紫外線微影制程期間吸收紫外光。方法包括通過第一蝕刻制程移除吸收層的外部部分而暴露緩沖層頂表面的外部部分。方法包括以第二蝕刻制程在吸收層中形成溝槽。

附圖說明

圖1是根據一實施例，極紫外線微影系統的方塊圖；

圖2是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖3是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖4A是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖4B是根據一實施例，圖4A中微影遮罩的俯視圖；

圖5是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖6是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖7是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖8是根據一實施例，微影遮罩的截面圖；

圖9是根據一實施例，在制程中間階段中微影遮罩的截面圖；

圖10是根據一實施例，形成微影遮罩的方法流程圖；

圖11是根據一實施例，形成微影遮罩的方法流程圖。

【符號說明】