[發明專利]一種石墨烯銀納米線復合導電薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202010969585.3
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112071472A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 譚化兵;潘智軍;李磊
• 申請（專利權）人: 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京世衡知識產權代理事務所(普通合伙) 11686
• 代理人: 肖淑芳;康穎

1.一種石墨烯銀納米線復合導電薄膜，其特征在于，包括：

基材，作為石墨烯銀納米線復合導電薄膜的基體支撐；

第一涂層，在所述基材上涂布聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，烘干后作為所述第一涂層，用于增強所述基材表面的附著力；

第一氧化石墨烯膜層，設置在所述第一涂層上，用于透明導電網絡；

銀納米線膜層，設置在所述第一氧化石墨烯膜層上，用于增強所述第一氧化石墨烯膜層的導電性；

第二氧化石墨烯膜層，設置在所述銀納米線膜層上，構成第一氧化石墨烯膜層/銀納米線膜層/第二氧化石墨烯膜層結構，用于增強石墨烯銀納米線復合導電薄膜整體導電性；

第二涂層，在所述第二氧化石墨烯膜層上涂布聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，烘干后作為所述第二涂層，用于增強所述第二氧化石墨烯膜層表面的附著力；

高分子保護層，設置在所述第二涂層表面，用于保護石墨烯銀納米線復合導電薄膜表面。

2.根據權利要求1所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜，其特征在于，所述基材為透明滌綸樹脂薄膜，所述基材厚度范圍0.01-10毫米，優選為0.125毫米。

3.根據權利要求1或2所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜，其特征在于，所述第一涂層的所述聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液濃度范圍為0.01％-1％。

4.根據權利要求1～3任一項所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜，其特征在于，所述第一氧化石墨烯膜層厚度范圍為2nm～10nm，優選為3nm。

5.根據權利要求1～4任一項所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜，其特征在于，所述銀納米線膜層厚度范圍為50nm-5000nm。

6.一種石墨烯銀納米線復合導電薄膜制備方法，其特征在于，包括：

步驟S100、準備透明薄膜作為基材；

步驟S200、在所述基材表面涂布聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，烘干后制備第一涂層；

步驟S300、在所述第一涂層表面涂布氧化石墨烯溶液，烘干后制備第一氧化石墨烯膜層；

步驟S400、在所述氧化石墨烯膜層表面絲網印刷銀納米線墨水，烘干后制備銀納米線膜層，在所述銀納米線膜層上進行焊接，形成銀納米線導電網絡；

步驟S500、在所述銀納米線膜層絲網印刷氧化石墨烯溶液，烘干后制備第二氧化石墨烯膜層；

步驟S600、在所述銀納米線膜層涂布聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，烘干后制備第二涂層；

步驟S700、在所述第二涂層表面噴涂丙烯酸溶液，采用熱固化工藝制備高分子保護層。

7.根據權利要求6所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S100中所述透明薄膜材質包括PET、PI、PC、PP。

8.根據權利要求6～7任一項所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S200中所述聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液采用狹縫式涂布方法涂布到所述基材表面，烘干溫度范圍為100-150℃，烘干時間范圍為10-40分鐘。

9.根據權利要求6～10任一項所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S400中所述銀納米線墨水的固含量為0.05-5wt％，烘干條件為120-180℃，烘干時間為15-60分鐘，優選150℃，40分鐘。

10.根據權利要求6～9任一項所述的石墨烯銀納米線復合導電薄膜制備方法，其特征在于，還包括步驟S800、在所述基材未設置第一涂層的一面上設置有基材保護層，所述基材保護層厚度范圍為0.05mm-0.1mm，優選為0.075mm。