[發明專利]可減小由電容邊緣效應導致的電容-位移之間的非線性的柵結構有效
| 申請號： | 202010969373.5 | 申請日： | 2020-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN112129278B | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發明（設計）人： | 鄭旭東;王雪同;吳海斌;金仲和 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G01C19/5719 | 分類號： | G01C19/5719;G01C19/5733;G01C19/5769;B81B7/02 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 萬尾甜;韓介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減小 電容 邊緣 效應 導致 位移 之間 非線性 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種可減小由電容邊緣效應導致的電容-位移之間的非線性的柵結構，應用于微機械陀螺儀中，其特征在于，所述的柵結構的兩個側面與靠近金屬電極的底面形成的夾角小于90°，且這兩個夾角相等；
所述的柵結構的形狀為等腰梯形或等腰三角形。
2.根據權利要求1所述的可減小由電容邊緣效應導致的電容-位移之間的非線性的柵結構，其特征在于，所述的柵結構由半導體材料經傾斜刻蝕形成，所述的傾斜刻蝕為：使用濕法腐蝕的各向異性腐蝕或者干法刻蝕的等離子體刻蝕。
3.根據權利要求2所述的可減小由電容邊緣效應導致的電容-位移之間的非線性的柵結構，其特征在于，所述的柵結構為沿垂直于底面方向局部減薄得到。
4.一種可減小由電容邊緣效應導致的電容-位移之間的非線性的柵結構驅動器，其特征在于，包括可動質量塊和兩個金屬電極，所述的可動質量塊為半導體材料，其上刻蝕有如權利要求1-3任一項所述的柵結構。
5.一種可減小由電容邊緣效應導致的電容-位移之間的非線性的柵結構位移檢測器，其特征在于，包括可動質量塊和兩個金屬電極，所述的可動質量塊為半導體材料，其上刻蝕有如權利要求1-3任一項所述的柵結構。
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