[發(fā)明專利]一種發(fā)光器件、顯示裝置

在審

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• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112054129A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 高榮榮;張東旭;孫玉倩
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32;C09K11/06;C07D401/10
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 李娜

1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光層，其特征在于，所述發(fā)光層包括熱激活延遲熒光材料；所述熱激活延遲熒光材料包括供體基團、受體基團和連接基團；

所述供體基團和所述受體基團分別鍵合至所述連接基團；所述供體基團所在平面和所述連接基團所在平面之間的扭轉角為θ1，所述受體基團所在平面和所述連接基團所在平面之間的扭轉角為θ2；其中，θ1和θ2能夠使得所述熱激活延遲熒光材料的單重態(tài)能級與所述熱激活延遲熒光材料的三重態(tài)能級之間的能級差小于常量T，0eV＜T＜0.3eV。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，

80°＜θ1＜100°，0°≦θ2＜20°。

3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，85°＜θ1＜95°，0°＜θ2＜10°。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述供體基團包括吖啶類基團，所述受體基團包括吖嗪類基團，所述連接基團包括芳基。

5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述熱激活延遲熒光材料的通式為：

其中，A為單鍵、氧、硫、芳基、雜芳基中的任一種；X1、X2、X3為碳、氮中的任一種，X1、X2、X3至少一個為氮；R1、R2、R3為芳基、雜芳基中的任一種；L為芳基。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層還包括客體材料；所述客體材料摻雜在所述熱激活延遲熒光材料中；

所述熱激活延遲熒光材料的三重態(tài)能級T1_TADF與所述客體材料的三重態(tài)能級T1_dopant滿足：T1_TADF-T1_dopant≥0.4eV。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括陰極和陽極，所述陽極和所述陰極分置于所述發(fā)光層中相對的兩側；

所述發(fā)光器件還包括：電子阻擋層和空穴阻擋層，所述電子阻擋層位于所述陽極和所述發(fā)光層之間，所述空穴阻擋層位于所述陰極和所述發(fā)光層之間。

8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述熱激活延遲熒光材料的最高分子占據(jù)軌道HOMO_TADF與所述電子阻擋層的最高分子占據(jù)軌道HOMO_EBL滿足：HOMO_EBL-HOMO_TADF≤0.3eV；

所述熱激活延遲熒光材料的最低分子未占據(jù)軌道LUMO_TADF與所述空穴阻擋層的最低分子未占據(jù)軌道LUMO_HBL滿足：LUMO_TADF-LUMO_HBL≤0.3eV。

9.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述熱激活延遲熒光材料的最高分子占據(jù)軌道HOMO_TADF與所述空穴阻擋層的最高分子占據(jù)軌道HOMO_HBL滿足：HOMO_TADF-HOMO_HBL≥0.1eV；

所述熱激活延遲熒光材料的最低分子未占據(jù)軌道LUMO_TADF與所述電子阻擋層的最低分子未占據(jù)軌道LUMO_EBL滿足：LUMO_TADF-LUMO_EBL≥0.1eV。

10.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的三重態(tài)能級大于所述熱激活延遲熒光材料的三重態(tài)能級；

所述空穴阻擋層的三重態(tài)能級大于所述熱激活延遲熒光材料的三重態(tài)能級。