[發明專利]一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法有效
| 申請號: | 202010968604.0 | 申請日: | 2018-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112133708B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 楊雁;鄭斌義;吳玲;沈柏平;王海亮 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1339;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區和非顯示區,所述顯示區圍繞所述非顯示區,所述非顯示區包括模組設置區,所述顯示面板在所述模組設置區的透光率大于預設值;
所述顯示面板包括陣列基板,所述陣列基板包括:
第一基板;
緩沖層,位于所述第一基板的一側;
多個薄膜晶體管,位于所述緩沖層遠離所述第一基板一側;
其中,所述多個薄膜晶體管所在膜層僅存在于所述非顯示區中除所述模組設置區以外的區域以及所述顯示區中;所述緩沖層存在于所述顯示區以及所述非顯示區中,且覆蓋所述模組設置區;
所述陣列基板還包括依次疊層設置的陣列平坦化層和第一鈍化層,所述陣列平坦化層位于所述多個薄膜晶體管遠離所述第一基板一側;
所述陣列平坦化層和所述第一鈍化層僅存在于所述非顯示區中除所述模組設置區以外的區域以及所述顯示區中。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板還包括位于所述第一鈍化層遠離所述第一基板一側的第二鈍化層,所述第二鈍化層僅存在于所述非顯示區中除所述模組設置區以外的區域以及所述顯示區中。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括與所述陣列基板對置的彩膜基板;所述彩膜基板包括:
第二基板;
黑矩陣,位于所述第二基板臨近所述第一基板的一側;
色阻層,位于所述黑矩陣遠離所述第二基板一側;
彩膜平坦化層,位于所述色阻層遠離所述第二基板一側;
所述黑矩陣和所述色阻層僅存在于所述非顯示區中除所述模組設置區以外的區域以及所述顯示區中;所述彩膜平坦化層存在于所述顯示區以及所述非顯示區中,且覆蓋所述模組設置區。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述非顯示區還包括布線區;所述布線區圍繞所述模組設置區;
所述布線區設置有圍繞所述模組設置區的封框膠,所述封框膠位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述非顯示區還包括支撐柱設置區和布線區;
所述支撐柱設置區圍繞所述模組設置區;所述布線區圍繞所述支撐柱設置區;在所述支撐柱設置區中,設置有位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的多個第一主支撐柱;在所述布線區中,所述陣列基板包括多條信號走線。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示區中設置有多個第二主支撐柱;
所述支撐柱設置區中所述第一主支撐柱的密度大于所述顯示區中所述第二主支撐柱的密度。
7.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括陣列排布的多個像素,每一所述像素包括多個子像素,所述像素位于所述顯示區中,所述像素的面積為S1,所述模組設置區的面積為S2;
在所述支撐柱設置區中,所述第一主支撐柱的數量N滿足:其中,A為所述第一主支撐柱的分布密度,0.03≤A≤0.06。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述多個第一主支撐柱與所述多個第二主支撐柱在同一工藝中采用同種材料形成。
9.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述支撐柱設置區中還設置有多個第一輔支撐柱,所述第一輔支撐柱的高度小于所述第一主支撐柱的高度;所述顯示區還設置有多個第二輔支撐柱,所述第二輔支撐柱的高度小于所述第二主支撐柱的高度,所述多個第一輔支撐柱與所述多個第二輔支撐柱在同一工藝中采用同種材料形成。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-9任一項所述的顯示面板,所述顯示裝置還包括感光模組,所述感光模組設置于模組設置區內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





