[發明專利]一種壓電傳感器的制備方法與壓電傳感器

在審

• 申請號: 202010968555.0
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112129432A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 曹江浪;方鵬;李光林
• 申請（專利權）人: 中國科學院深圳先進技術研究院
• 主分類號: G01L1/16
• 分類號: G01L1/16;H01L41/047;H01L41/29
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種壓電傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

提供壓電駐極體；

在所述壓電駐極體的一側表面上設置信號陣列單元；

在所述壓電駐極體表面未被所述信號陣列單元覆蓋的區域設置絕緣層；

在所述絕緣層上制作信號導線，并使所述信號導線與所述信號陣列單元連接；

在所述壓電駐極體遠離所述信號陣列單元的一側表面上設置地線層與地線導線，以獲得所述壓電傳感器。

2.根據權利要求1所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述壓電駐極體的一側表面上設置信號陣列單元的步驟具體包括：

基于所述信號陣列單元的設定參數制備信號層掩膜板；

將所述信號層掩膜板置于所述壓電駐極體的一側表面上，控制金屬顆粒沉積到所述壓電駐極體表面，以形成所述信號陣列單元。

3.根據權利要求2所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述壓電駐極體表面未被所述信號陣列單元覆蓋的區域設置絕緣層的步驟具體包括：

基于所述信號陣列單元的設定參數制備信號層遮蓋板；

利用所述信號層遮蓋板對所述信號陣列單元進行遮蓋處理后，控制高分子聚合物顆粒沉積到所述壓電駐極體表面，以形成所述絕緣層。

4.根據權利要求3所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述絕緣層上設置信號導線，并使所述信號導線與所述信號陣列單元連接的步驟具體包括：

基于所述信號陣列單元制備與所述信號陣列單元連接的信號導線掩膜板；

將所述信號導線掩膜板置于所述信號陣列單元與所述絕緣層上，控制所述金屬顆粒沉積到所述信號陣列單元與所述絕緣層的表面，以形成與所述信號陣列單元連接的所述信號導線。

5.根據權利要求4所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述壓電駐極體遠離所述信號陣列單元的一側表面上設置地線層與地線導線，以獲得所述壓電傳感器的步驟具體包括：

控制所述金屬顆粒沉積到所述壓電駐極體遠離所述信號陣列單元的一側表面，以形成所述地線層；其中，所述地線層的位置與所述信號陣列單元的位置相對應，以使所述地線層覆蓋所述信號陣列單元；

基于所述地線導線與所述地線層的連接方式制備地線導線掩膜板；

將所述地線導線掩膜板置于所述地線層所在的壓電駐極體表面上，控制金屬顆粒沉積到所述壓電駐極體表面形成與所述地線層連接的所述地線導線，以獲得所述壓電傳感器。

6.根據權利要求5所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述提供壓電駐極體的步驟具體包括：

準備聚合物薄膜，對所述聚合物薄膜進行處理，以使所述聚合物薄膜具有微孔結構；

對具有所述微孔結構的聚合物薄膜進行極化處理，以使所述微孔結構的相對兩壁上具有極性相反的空間電荷。

7.根據權利要求6所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述聚合物薄膜為具有優異介電性能的高分子聚合物。

8.根據權利要求6所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述金屬顆粒為具有良好導電性能的金屬。

9.根據權利要求6所述的壓電傳感器的制備方法，其特征在于，所述高分子聚合物顆粒為具有絕緣性的高分子聚合物。

10.一種壓電傳感器，其特征在于，包括：

壓電駐極體；

信號陣列單元，設置于所述壓電駐極體的一側表面上；

絕緣層，所述絕緣層設置于所述壓電駐極體表面未被所述信號陣列單元覆蓋的區域；

信號導線，所述信號導線設置于所述絕緣層上，所述信號導線與所述信號陣列單元連接；

地線層與地線導線，所述地線層與所述地線導線設置于所述壓電駐極體遠離所述信號陣列單元的一側表面上。